初代10nm性能不敵14nm++,Intel Cannonlake還需等待
Intel曾表態稱基於全新10nm工藝的Cannon Lake處理器將於今年末出貨。但外媒最新分析認為，Intel的計畫可能會被迫推遲，而消費者想要買到Cannon Lake電腦則需要等待更長的時間。
在前幾天的Intel技術與製造論壇2017會議上，
作為今年制程轉換的關鍵，Intel的10nm工藝備受關注，儘管這兩天有媒體爆料說10nm工藝性能提升40%以上，但實際上今年的初代10nm工藝性能還不如現在的14nm++工藝，10nm首款產品Cannonlake首先會出移動版，桌上出版還未公佈，但今年問世可能性不大了，要到2018年才會有10nm桌上出版處理器。
初代10nm性能不敵14nm++
此前的文章中我們已經詳細介紹過了Intel的10nm工藝，這一代工藝最大的亮點實際上是低功耗、高密度，Intel公佈的數據稱他們的10nm工藝實現了100Mtr/mm2，也就是億平方毫米內可以塞入1億個電晶體，是其他友商的10nm工藝密度的2.7倍。
至於說性能，
但是大家要知道，按照路線圖顯示，首先出貨的將是Cannon Lake低功耗處理器，主要面向超極本和2in1變形產品，其將取代現在的M/Y Kaby Lake處理器，主要競爭對手瞄準AMD Raven Ridge和高通驍龍835。而常規電壓版本的移動處理器和桌面處理器要等到2018年上半年才會大規模鋪開。
好消息是Intel確認還是會推出PC版Cannonlake處理器的，考慮到Intel之前公佈過下半年推出第八代酷睿處理器，不過它還是14nm工藝的，所以不會是Cannonlake，而Cannonlake的PC版有可能作為第九代酷睿處理器問世，只是今年發佈的可能性是沒了，即便是移動版Cannonlake也要今年底（準確點來說是在12月份）才有可能出貨。
換句話說，直到2018年Intel還會在繼續擠14nm工藝牙膏，
原因何在
眾所周知，半導體發展到90nm之後高密度和高性能完全兩個世界，甚至多數情況下是相悖的。原因在於密度大的通常柵極薄，漏電暴增，而且熱密度也高，短溝道效應等等一堆副作用。
三星台積電的10nm也無法全方位擊敗自己的14lpp和16+，
intel 14nm一代密度是與三星10nm接近的，但實際性能其實沒有比16+強太多，這也是intel只吹密度不怎麼直接說性能的原因；14nm+管線增大密度減小，出現了基本盤秒殺skylake大雕的kabylake；而14nm++的線寬進一步增大，變為三星14nmlpe的密度，性能再次大漲。intel真正強的不是密度有多高，而是強在增加密度的同時還能有性能提升，同密度下能性能領先，這與柵極高度等一系列漏電控制因素有莫大關係。
用14++而不用10nm是非常正確的決定，雖然在很多不太懂的人眼中不可理喻，因為14++實際上與i 10nm相對一代14nm的提升幅度差不多，但是14++的密度小，晶片面積大非常利於桌面端的散熱，而10nm會把晶片做的很小，應該是14++同晶片的三分之一左右，非常不利於散熱，但利於soc化。
想要真正的下一代工藝，認准hkmg和finfet這類關鍵技術，這些關鍵技術才能緩解密度微縮副作用，使密度微縮真正帶來性能增長。
今天是《半導體行業觀察》為您分享的2017年第94期內容，歡迎關注。
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eading
但現有技術下密度、成本、性能不可兼顧。ps:台積電10nm比三星10nmlpe和intel一代14nm的密度都大，有完美走當年自家20nm路線的潛質。intel 14nm一代密度是與三星10nm接近的，但實際性能其實沒有比16+強太多，這也是intel只吹密度不怎麼直接說性能的原因；14nm+管線增大密度減小，出現了基本盤秒殺skylake大雕的kabylake；而14nm++的線寬進一步增大，變為三星14nmlpe的密度，性能再次大漲。intel真正強的不是密度有多高，而是強在增加密度的同時還能有性能提升，同密度下能性能領先，這與柵極高度等一系列漏電控制因素有莫大關係。
用14++而不用10nm是非常正確的決定，雖然在很多不太懂的人眼中不可理喻，因為14++實際上與i 10nm相對一代14nm的提升幅度差不多，但是14++的密度小，晶片面積大非常利於桌面端的散熱，而10nm會把晶片做的很小，應該是14++同晶片的三分之一左右，非常不利於散熱，但利於soc化。
想要真正的下一代工藝，認准hkmg和finfet這類關鍵技術，這些關鍵技術才能緩解密度微縮副作用，使密度微縮真正帶來性能增長。
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