我國半導體材料里程碑式進展！氮化鎵產業迎來巨大的創新發展機遇

從研發到商業化應用，氮化鎵的發展是當下的顛覆性技術創新，其影響波及了現今整個微波和射頻行業。其對眾多射頻應用的系統性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響，

並實現了利用傳統半導體技術無法實現的系統級解決方案，其市場潛力剛剛開始被關注。詳情一起來瞭解。

8英寸矽基氮化鎵終於實現量產

11月9日，英諾賽科（珠海）科技有限公司舉行8英寸矽基氮化鎵通線投產儀式。據悉，這是我國首條實現量產的8英寸矽基氮化鎵（GaN）生產線。

據瞭解，由於高溫環境下生長的氮化鎵薄膜冷卻時受熱錯配應力的驅動下，容易發生破裂或翹曲，成為矽基氮化鎵大英寸化的主要障礙，因而經過不懈努力採取獨有的技術解決了這一挑戰，將矽基氮化鎵晶圓尺寸推進到8英寸。

據悉，這是我國首條8英寸矽基氮化鎵外延與晶片生產線，成功添補了我國在這一領域的空白，既是一個里程碑也是一個新的起點。

低功耗、小尺寸且成本優勢明顯

如今氮化鎵被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業射頻領域的主流應用，它從一項高深的技術發展為市場的中流砥柱，這一發展歷程融合了多種因素。隨著矽基氮化鎵技術的深入研究，我們逐漸發現了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導體技術。

與矽器件相比，矽基氮化鎵可以承受比矽器件高出很多倍的電場而不會崩潰。這意味可以把電晶體的各個電端子之間的距離縮短十倍，以實現更低的電阻損耗和更短的電子具備轉換時間。

總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優勢。由於氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特的優勢，

近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術的應用受到很多限制。

》》》氮化鎵產業迎來發展新機遇

氮化鎵是當今世界上最具潛力的半導體材料之一，又被稱做寬禁帶半導體。矽氮化鎵技術能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件尺寸，因此，非常適合用於電視機電源和D類音訊放大器等消費電子產品，

伺服器和電信設備中使用的SMPS。

而面向功率半導體的矽基板GaN技術市場，正以高達50%以上的年均複合增長率（CAGR）成長。預計到2023年，市場容量將會從2014年1500萬美元，增至8億美元。

我國是世界上最大的半導體產品市場，同時也是產業技術發展最迅速國家。氮化鎵產業將帶來巨大的創新發展機遇。

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