能效提高15%，運行速度提升10%！三星發佈10nm工藝8Gb DDR4記憶體

三星在新聞發佈會上表示，三星已經使用其第二代10納米製造技術構建了最小的8Gb DDR4記憶體晶片。晶片的能效提高了15%，運行速度比上一代快了10%。晶片的生產力也增長了30％，這意味著晶圓的輸送量和產量將使它能夠在同一時間內構建更多的晶片。

這應該使你的電腦RAM在不久的將來更便宜，更容易找到。

晶片部門沒有使用新的工藝來縮小RAM，而是增加了一些新技術。具體地說，它使用了更有效的錯誤檢查和"獨特的空氣隔離器"來減少由於接近現代晶片的痕跡而導致的寄生電容。

三星電子(Samsung Electronics)是該公司的一個非常成功的部門，它的利潤占了很大一部分。它為高通(Qualcomm)等公司製造處理器，同時研發顯卡和非易失性的快閃記憶體存儲製造商DRAM、GDDR5 RAM。目前生產的是10納米的部件，但很快就會使用相同的技術，

進入8納米的加工過程。但是，使用紫外線光刻技術製造7納米的零件將是一個更棘手的步驟。

三星正在"加快計畫，以更快的速度製造下一代DRAM晶片和系統，包括DDR5、HBM3、LPDDR5和GDDR6，用於企業伺服器、移動設備、超級電腦、HPC系統和高速顯卡。"它還將建立更多的第一代晶片，

以更好地填補供應管道堵塞——這對英特爾(Intel)和東芝(Toshiba)等競爭對手來說都不是好消息。