英特爾美光合作終止於3D NAND第三代產品

集微網消息，英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以來的首款新型態記憶體技術。2016年，英特爾發佈採用3D XPoint技術的Optane品牌儲存產品，成為該技術最先上市的新一代高性能固態硬碟(SSD)系列。

1月8日，合作多年的兩家公司宣佈將在完成第三代 3D NAND 研發之後，正式分道揚鑣。

外媒報導，英特爾和美光 12 年前成立合資公司 IM Flash Technologies發展NAND。在2012年的時候，英特爾把多數IMFT工廠的股份賣給了美光，而只保留Lehi這一個據點。此後，雙方就開始各自興建自己的生產線。

英特爾提供研發成本，可分享 NAND 銷售收益。目前，英特爾NAND主要用於企業市場的固態硬碟（SSD），而美光除了銷售SSD，還供應NAND Flash晶片產品給更多客戶。

目前，兩家公司已進入第二代 3D NAND 制程，可堆疊 64 層，正在研發第三代產品，預料將可實現 96 層的堆疊技術，預計在 2018 年底、2019 年初問世。

去年11月，IM Flash B60晶圓廠完成擴建工程，規模擴大後的晶圓廠將生產3D XPoint記憶體。

關於兩家公司分道揚鑣的理由，一種猜測是，在NAND堆疊層數破百後，

需要調整String Stacking的堆疊方式，兩家公司對此看法不同，因而分手。另一種猜測是，目前3D NAND的生產主流是電荷儲存式（Charge trap） ，三星電子等廠商均採用這一方式，英特爾/美光是唯一採用浮閘（floating gate）架構的廠商。也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構，但這相當於承認失敗，表明從2D NAND轉換成3D NAND後，選用浮閘是一個錯誤決定，因而鬧翻。

值得注意的是，兩家公司仍會繼續共同研發 3D XPoint 記憶體，

此一技術被譽為打破摩爾定律的革命技術。英特爾強調，雙方都認為，獨立之後，將能抽出更多精力優化自身產品、服務客戶，且不會對路線圖和技術節點造成影響。英特爾稱，他們仍舊會在猶他州的Lehi工廠聯合研發製造。