延期多年,EUV光刻機終於準備好了
在日前舉辦的2017年Q4法說會上,台積電透露,其極紫外光光刻機(extreme ultraviolet lithography: ,
EUV光刻機的唯一供應商ASML在2017年度Semicon West半導體設備展上也表示,250瓦的EUV光源也萬事俱備。公司2017年財報中也強調,其EUV光刻機滿足了125WPH(每小時生產125片晶圓)的性能規格。那就意味著最初計畫在2004年推出的EUV光刻機,在延誤了十三年之後,終於準備好了。
EUV光刻機被譽為救世主,關鍵問題已解決過去幾十年,
所謂EUV,是指波長為13.5nm的光。相比於現在主流光刻機用的193nm光源,新的EUV光源能給矽片刻下更小的溝道,從而能實現在晶片上集成更多的電晶體,進而提高晶片性能,繼續延續摩爾定律。不過在之前推進EUV光刻機的過程中,碰到各種各種各樣的問題,EUV光刻機商用的時間也一拖再拖,業界在EUV的研發投入保守估計也超過了200億美金,
在EUV光刻機工作過程中,需要電源將等離子體轉換成13.5nm波長的光線,之後再經過鏡子的幾重反射,再打落到晶圓上。但是之前的電源並不能給EUV提供足夠的功率,進而滿足經濟可行性。這就首先要瞭解對EUV光刻機的要求:
簡單來說,引入EUV光刻機的工作目標,就是把原來傳統光刻的雙層pattering簡化成一層EUV完成,
為了加速光源的發展,
據介紹,Cymer 使用了一種叫做“鐳射等離子體”的方法,這種方法是在一個真空腔體中,用源自金屬切割技術的放大器,產生強大的二氧化碳鐳射,通過腔體,照射一束每秒被發射出5萬滴的超純錫液滴。當雷射脈衝照射到錫液滴時,液滴會被加熱成等離子體並產生EUV射線。接著,一個反射鏡收集器將該過程產生的光線反射到光刻機中。
在這個方法的基礎上,ASML和Cymer持續改進,並在2016年達到200瓦的功率,到2017年下半年,終於實現了250瓦的光源和125WPH的效率,那就意味著EUV光刻機的商用指日可待。
三星、台積電、英特爾和格芯的爭奪戰打響隨著HPC和智慧手機的發展,對晶片性能的要求越來越高,設計廠商對先進工藝的需求也隨之高漲,在台積電Q4法說會,台積電表示已經有了50個7nm客戶,就是最好的證明。面對這個市場,正如文章開頭所說,晶圓代工廠們需要將目光投向EUV光刻機尋求幫助。2017年5月剛從三星集團獨立出來的三星晶圓廠就是當中最為激進的一個。
EUV光刻機無疑是未來的大勢所趨。
格芯首席技術官Gary Patton表示,如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機,那麼光刻的步驟將會超過100步,這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm晶片的最重要生產工具,未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關鍵。
據ASML的年報得知,2016年,他們總共才出貨了四台EUV光刻機,2017年則交付了10套EUV系統。而從媒體報導中我們得知,2018年,ASML的EUV光刻機產量可以達到24台,但這些訂單都已經被搶購一空。但到2019年,ASML會將其產能提高到40台,這會大大緩解EUV光刻機的供應壓力。
更大的挑戰扔在後頭在基本克服了250W光源這個難題之後,ASML對晶圓廠客戶有了一個基本的交代,但是對於EUV光刻機系統來說,仍然有一些問題需要被解決的。
首先就是光罩問題;
據介紹,EUV所用的光罩和193nm浸沒式光刻的光罩完全不同,它們由使用了數十種不同材料的納米層組成。根據資料調查顯示,過去12個月來,光罩製造商已經製作了1041個EUV光罩,光罩良率目前僅為64.3%。但同期間曝光的主流的光罩數達到46萬2792個,平均良率高達94.8%。因此如何提升光罩良率和成本問題,就成為他們考慮的首要問題。
其次EUV薄膜問題也不能忽略;
雖然現在EUV設備都是處於超潔淨環境中,但是在製造過程中,灰塵是無可避免地產生的。如果有一點回城掉到光罩上,則會造成很大的損失。現在主流光罩的薄膜是透明的,能夠經受得起考驗,但是目前的EUV薄膜是不透明的,那就需要超薄型的薄膜去製造透明的EUV薄膜,能夠抵擋EUV光刻機的震盪和相關干擾對光罩造成的影響。
還有一個重要的問題是目前沒有很好的方法去檢測光罩的缺陷;
理想情況下,你可以用EUV光去掃描那些需要修補的點。但這個被稱為actinic patterned-mask inspection的技術依然還在研究當中,所以所有的晶片製造商目前在光罩檢測上也只能用權宜之計:有些廠商使用193nm光刻的那些工具。但是來到7nm,用193nm的方法無異於緣木求魚。因為方法雖然相同,但是你總會錯過一些東西。晶片製造商也使用一個叫做“print check”的技術去檢查晶圓,但這個方法在時間和金錢成本都很高,並不能讓人接受。
對ASML來說,未來還需要解決一個光源問題。
目前的250W光源應用在7nm甚至5nm都是沒問題的,但到了3nm,對光源的功率需求將會達到500W,到了1nm的時候,光源功率要求甚至達到了1KW,這也不會是一個容易的問題。
讓我期待一些聰明的工程師幫我們解決這些問題。
文/半導體行業觀察 李壽鵬
今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1476期內容,歡迎關注。
據介紹,Cymer 使用了一種叫做“鐳射等離子體”的方法,這種方法是在一個真空腔體中,用源自金屬切割技術的放大器,產生強大的二氧化碳鐳射,通過腔體,照射一束每秒被發射出5萬滴的超純錫液滴。當雷射脈衝照射到錫液滴時,液滴會被加熱成等離子體並產生EUV射線。接著,一個反射鏡收集器將該過程產生的光線反射到光刻機中。
在這個方法的基礎上,ASML和Cymer持續改進,並在2016年達到200瓦的功率,到2017年下半年,終於實現了250瓦的光源和125WPH的效率,那就意味著EUV光刻機的商用指日可待。
三星、台積電、英特爾和格芯的爭奪戰打響隨著HPC和智慧手機的發展,對晶片性能的要求越來越高,設計廠商對先進工藝的需求也隨之高漲,在台積電Q4法說會,台積電表示已經有了50個7nm客戶,就是最好的證明。面對這個市場,正如文章開頭所說,晶圓代工廠們需要將目光投向EUV光刻機尋求幫助。2017年5月剛從三星集團獨立出來的三星晶圓廠就是當中最為激進的一個。
EUV光刻機無疑是未來的大勢所趨。
格芯首席技術官Gary Patton表示,如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機,那麼光刻的步驟將會超過100步,這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm晶片的最重要生產工具,未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關鍵。
據ASML的年報得知,2016年,他們總共才出貨了四台EUV光刻機,2017年則交付了10套EUV系統。而從媒體報導中我們得知,2018年,ASML的EUV光刻機產量可以達到24台,但這些訂單都已經被搶購一空。但到2019年,ASML會將其產能提高到40台,這會大大緩解EUV光刻機的供應壓力。
更大的挑戰扔在後頭在基本克服了250W光源這個難題之後,ASML對晶圓廠客戶有了一個基本的交代,但是對於EUV光刻機系統來說,仍然有一些問題需要被解決的。
首先就是光罩問題;
據介紹,EUV所用的光罩和193nm浸沒式光刻的光罩完全不同,它們由使用了數十種不同材料的納米層組成。根據資料調查顯示,過去12個月來,光罩製造商已經製作了1041個EUV光罩,光罩良率目前僅為64.3%。但同期間曝光的主流的光罩數達到46萬2792個,平均良率高達94.8%。因此如何提升光罩良率和成本問題,就成為他們考慮的首要問題。
其次EUV薄膜問題也不能忽略;
雖然現在EUV設備都是處於超潔淨環境中,但是在製造過程中,灰塵是無可避免地產生的。如果有一點回城掉到光罩上,則會造成很大的損失。現在主流光罩的薄膜是透明的,能夠經受得起考驗,但是目前的EUV薄膜是不透明的,那就需要超薄型的薄膜去製造透明的EUV薄膜,能夠抵擋EUV光刻機的震盪和相關干擾對光罩造成的影響。
還有一個重要的問題是目前沒有很好的方法去檢測光罩的缺陷;
理想情況下,你可以用EUV光去掃描那些需要修補的點。但這個被稱為actinic patterned-mask inspection的技術依然還在研究當中,所以所有的晶片製造商目前在光罩檢測上也只能用權宜之計:有些廠商使用193nm光刻的那些工具。但是來到7nm,用193nm的方法無異於緣木求魚。因為方法雖然相同,但是你總會錯過一些東西。晶片製造商也使用一個叫做“print check”的技術去檢查晶圓,但這個方法在時間和金錢成本都很高,並不能讓人接受。
對ASML來說,未來還需要解決一個光源問題。
目前的250W光源應用在7nm甚至5nm都是沒問題的,但到了3nm,對光源的功率需求將會達到500W,到了1nm的時候,光源功率要求甚至達到了1KW,這也不會是一個容易的問題。
讓我期待一些聰明的工程師幫我們解決這些問題。
文/半導體行業觀察 李壽鵬
今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1476期內容,歡迎關注。