三星半導體元件驅動Galaxy S8

三星10納米工藝技術公告：全球領先的三星電子先進的半導體元器件技術正式宣佈，其第二代10納米（nm）FinFET工藝技術，10LPP（Low Power Plus）已經合格並準備就緒用於批量生產。隨著3D FinFET結構的進一步增強，與具有相同面積縮放的第一代10LPE（低功耗早期）工藝相比，

10LPP允許高達10％的性能或15％的功耗。去年10月，三星半導體是業界率先在10LPE上開始批量生產片上系統（SoC）產品的行業。最新的高級Galaxy S8 Android智慧手機由其中一些半導體元件提供支援。

三星半導體元器件

為了滿足廣泛客戶對10nm工藝的長期需求，

三星半導體已經開始在韓國華城最新的S3線安裝生產設備。新的生產線預計將在2017年第四季度投產。

半導體元件

高性能智慧手機

三星電子公司鑄造行銷副總裁李妍表示：“憑藉我們10LPE的成功經驗，我們已經開始生產10LPP，以保持我們在先進節點鑄造市場的領先地位。

“10LPP將是高性能智慧手機，移動計算和網路應用的關鍵流程產品之一，而三星半導體將繼續提供最先進的邏輯處理技術。”Lee補充說。

三星組件

文字編輯：小熙

圖文編輯：hzym365