領先對手三年！英特爾最強10nm工藝完全碾壓台積電、三星

摩爾定律不會失效

近幾年，“摩爾定律失效”是近兩年來業界討論的熱門話題。隨著制程工藝在實體層面越來越接近極限，摩爾定律所詮釋的“當價格不變時，積體電路上可容納的元器件的數目，

約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍”的規律逐漸被打破，使得人們對摩爾定律在未來所產生的指導意義產生強烈懷疑。

英特爾公司執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith坦言，隨著工藝的發展，制程節點之間的時間已經延長，

這是整個行業都面臨的問題。據瞭解，實現全新的制程節點變得愈加困難，成本也更加昂貴。僅僅是把設備安裝到已有晶圓廠中，就要花費70億美元，越來越少的公司可以承擔得起推進摩爾定律的成本。

但這並不意味著摩爾定律已經失效。Stacy Smith在會上表示:“每一個節點電晶體數量會增加一倍，14nm和10nm都做到了，而且電晶體成本下降幅度前所未有，這表示摩爾定律仍然有效。

”Stacy Smith解釋道，“創新技術，可以保證摩爾定律長期有效。”

10nm工藝直接PK友商，刀刀見紅

今年6月份，高通總裁裡克·阿伯利在臺灣表示過往被稱為處理器龍頭的Intel在10nm制程技術明顯落後情況, 似乎也顯示傳統PC市場確實面臨改革。高通曾表示驍龍835處理器採用的是三星10nm晶片製造技術，

這意味著其移動晶片超過了個人電腦處理器。

面對業界的質疑，英特爾霸氣回應，對於競爭對手三星、台積電等公司，英特爾的技術上仍然具有領先性。

第一， 英特爾的14nm工藝可媲美對手的10nm工藝。Stacy Smith今天提到了制程節點命名的混亂，他認為制程技術應該以實踐進行度量。；“我們在14nm上採用了超微縮技術，讓英特爾能夠加速推進電晶體密度的提升，借助節點內優化，

產品功能每年都可以實現增強。與競爭對手相比，14nm領先3年。可以看到友商電晶體密度並沒有提升，友商10nm節點電晶體密度只相當於我們14nm的電晶體密度。”Stacy Smith認為。

第二，英特爾在會上高調推出了10nm工藝，Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，它擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距，從而實現了業內最高的電晶體密度，領先其他“10納米”整整一代，以時間來算，則領先3年時間。

英特爾在會場上放出了10納米技術與競爭對手的資料對比情況，

英特爾稱在柵極間距、最小金屬間距間技術指標上都處於領先地位。

英特爾10 納米工藝使用了超微縮技術 （hyper scaling），充分運用了多圖案成形設計 （multi-patterning schemes），可以助力英特爾延續摩爾定律的經濟效益，從而推出體積更小、成本更低的電晶體。

在工藝方面，英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯電晶體密度可達到每平方毫米1.008億個電晶體，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，大約是業界其他“10納米”制程的2倍。

相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。相比業界其他所謂的“10 納米”，英特爾10納米制程也有顯著的領先性能。全新增強版的10 納米制程——10++，則可將性能再提升15%或將功耗再降低30%。

開放最強工藝，英特爾進入中國代工市場

除了10nm工藝，英特爾公司技術與製造事業部副總裁、晶圓代工業務聯席總經理Zane Ball在大會上分享了英特爾在代工業務方面的戰略。

Zane Ball指出，英特爾正大規模進入代工市場，包括為移動和物聯網設備的設計公司提供代工。英特爾元晶代工業務重點關注兩大細分市場：網路基礎設施、移動和互聯設備，可以輸出22納米、14納米、10納米和22FFL等技術。除此之外，英特爾還可以提供聯合優化設計套件、矽晶驗證的IP和創新的封裝測試能力等。

英特爾特別關注中國代工市場的機會。Zane Ball表示，在全球半導體市場上，來自中國的消費達到了58.5%，但中國無圓晶廠全球占比為25%，中國半導體領域擁有巨大的機會。除了自己人Altera和展訊（Intel是股東）之外，英特爾將通過代工業務加深與中國夥伴的合作，接受22nm FL/14nm FinFET/10nm FinFET等代工合同，助力中國技術生態系統蓬勃發展。

不過，Intel和三星一樣，代工的問題主要是“樹敵”過多。因為他們是為數不多既懂設計又有工廠（Fab）的公司，不像台積電那樣人畜無害，也不像高通、AMD、華為等只做設計。

在工藝方面，英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯電晶體密度可達到每平方毫米1.008億個電晶體，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，大約是業界其他“10納米”制程的2倍。

相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。相比業界其他所謂的“10 納米”，英特爾10納米制程也有顯著的領先性能。全新增強版的10 納米制程——10++，則可將性能再提升15%或將功耗再降低30%。

開放最強工藝，英特爾進入中國代工市場

除了10nm工藝，英特爾公司技術與製造事業部副總裁、晶圓代工業務聯席總經理Zane Ball在大會上分享了英特爾在代工業務方面的戰略。

Zane Ball指出，英特爾正大規模進入代工市場，包括為移動和物聯網設備的設計公司提供代工。英特爾元晶代工業務重點關注兩大細分市場：網路基礎設施、移動和互聯設備，可以輸出22納米、14納米、10納米和22FFL等技術。除此之外，英特爾還可以提供聯合優化設計套件、矽晶驗證的IP和創新的封裝測試能力等。

英特爾特別關注中國代工市場的機會。Zane Ball表示，在全球半導體市場上，來自中國的消費達到了58.5%，但中國無圓晶廠全球占比為25%，中國半導體領域擁有巨大的機會。除了自己人Altera和展訊（Intel是股東）之外，英特爾將通過代工業務加深與中國夥伴的合作，接受22nm FL/14nm FinFET/10nm FinFET等代工合同，助力中國技術生態系統蓬勃發展。

不過，Intel和三星一樣，代工的問題主要是“樹敵”過多。因為他們是為數不多既懂設計又有工廠（Fab）的公司，不像台積電那樣人畜無害，也不像高通、AMD、華為等只做設計。