Intel 10 納米制程將優先生產 3D NAND Flash
【Technews科技新報】之前,晶片大廠英特爾(Intel)在中國舉行的“尖端製造大會”,
根據業界人士透露,Intel 計畫在自家最新 64 層 3D NAND Flash 快閃記憶體使用最新 10 納米制程技術。至於,為何在 3D NAND Flash 先用新制程,很可能是因為 NAND Flash 的結構相對簡單,
照 Intel 的說法,10 納米制程技術使用 FinFET(鰭式場效應電晶體)、Hyper Scaling(超縮微)技術,
不過,目前還不清楚 Intel 的 10 納米制程 NAND Flash 具體生產情況為何,但可以確認,未來該批產品會首先用於資料中心市場,等成本下降後,再推廣到消費等級市場。
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