先來講個恐怖故事吧， 不久前三星860 EVO固態硬碟現身， 預示著比TLC更“差勁”的QLC即將來到你我身邊。 那些年我們吐槽過的TLC看來要翻身了， 想想再過一兩年評論區全是還我TLC， 心裡真是美滋滋。
雖說TLC快閃記憶體從2015年起就逐漸取代MLC， 全面普及到消費級固態硬碟市場， 但是時至今日都有不少玩家瞧不上TLC硬碟， 視之如草芥。 理由無外乎TLC速度慢、壽命短、穩定性差。
但是， 今天就算你罵我我也要說，
當然我們承認TLC確實存在以上的缺點， 僅從大家最關心的壽命問題來看， SLC 10萬次、MLC 3000-10000次的擦寫壽命， 紙面上看就比TLC 1000次左右長壽很多。 那麼這1000次擦寫壽命究竟是個什麼概念呢？
假設你的硬碟是120G， 每天拼命寫入50G資料（包含寫入放大）。 那麼按照上面的公式計算，
這並不是TLC稱王稱霸的唯一理由， 2D制程工藝從最初的50nm到現在的15nm， 雖然帶來了容量提升、成本降低的優勢。 但生產NAND過程中氧化層越來越薄， 可靠性也存在更大風險。
直到有一天工程師們靈光一閃， 既然制程工藝很難再有優勢， 那麼我們就簡單地堆快閃記憶體層數就好啦， 於是3D NAND就這樣誕生了。
3D NAND是一種快閃記憶體形態， 依靠3D結構提供更多數量級的額外存儲密度。 應用于TLC快閃記憶體中其成本、容量、性能、可靠性都得到了更優秀的保證。
以今年開始全面發力的東芝 64層3D NAND為例， 作為NAND快閃記憶體的發明人， 東芝自行研發的3D FlASH使用的是BiCS技術。 BiCS FLASH?是垂直堆疊的三維(3D)快閃記憶體， 相比其前一代的先進技術， 即二維(2D)NAND快閃記憶體， BiCS FLASH?中的記憶體單元間隔比2D NAND快閃記憶體更大。
這就可以通過增加單次程式設計序列的資料量來提高程式設計速度，同時也降低了每個程式設計資料單元的功耗。另外BiCS FLASH?的寬記憶體單元間隔相比於2D NAND快閃記憶體而言，降低了單元的耦合性，提高了可靠性。
TLC雖說速度、壽命、穩定性等方面比MLC差，但是更便宜的成本、更大容量的優勢是無法忽視的，尤其是今年起64-72層3D快閃記憶體的崛起。就像當年MLC從不被接納到廣泛認可，也不正是如此嗎？
這就可以通過增加單次程式設計序列的資料量來提高程式設計速度，同時也降低了每個程式設計資料單元的功耗。另外BiCS FLASH?的寬記憶體單元間隔相比於2D NAND快閃記憶體而言，降低了單元的耦合性，提高了可靠性。
TLC雖說速度、壽命、穩定性等方面比MLC差，但是更便宜的成本、更大容量的優勢是無法忽視的，尤其是今年起64-72層3D快閃記憶體的崛起。就像當年MLC從不被接納到廣泛認可，也不正是如此嗎？