11月9日， 英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發的中國首條8英寸矽基氮化鎵生產線在珠海正式通線投產。
氮化鎵又被稱作第三代半導體，
英諾賽科（珠海）科技有限公司擁有世界領先的8英寸矽基氮化鎵外延技術， 突破了低翹曲度、低缺陷及位元錯密度、低漏電晶圓製造的全球性挑戰， 將碎片率大幅降至1%以下領先水準。 經過兩年的努力， 該公司已建成中國首條完整8英寸矽基氮化鎵外延與晶片量產生產線， 主要產品包括100V-650V氮化鎵功率器件， 設計及性能均達到國際最先進水準， 將廣泛應用於電力電子、新能源、電動汽車、資訊與通信和智慧工業等領域。
“建設一個自主可控、安全的生產體系， 這是半導體行業、資訊產業的責任。 企業只有建立起自己的研發體系、人才體系， 這樣才能不斷進步， 不斷領先。 ”中國半導體行業協會執行副理事長兼秘書長徐小田當天在現場表示， 作為半導體行業協會， 政策上將著重在科研體系的建立、人才培養等方面給予關注， 與所有企業一起改善環境， 參與國際競爭、國際交流， 推動產業發展。
當天， 多名業內專家在隨後舉行的研討會上談到， 氮化鎵產業已經到了爆發前夜， 在8英寸矽基氮化鎵晶圓產業化上取得重大突破， 為今後該領域的發展奠定了良好基礎， 必將為中國在半導體領域實現“換道超車”作出重要貢獻。