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擴散過後的下一個工序是刻蝕， 由於擴散採用背靠背擴散， 矽片的邊緣沒有遮擋也被擴散上磷（邊緣導通狀態）， 太陽能電池PN結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區域流到PN結的背面， 而造成短路， 太陽能電池片會因此失效。 同時此短路通道等效于降低並聯電阻。 另外由於在擴散過程中氧的通入， 矽片表面會形成一層二氧化矽， 在擴散爐高溫的作用下POCl3與O2形成的P2O5， 部分P原子進入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導體， 部分則留在了SiO2中形成PSG（磷矽玻璃）。
1、磷矽玻璃會使得電池片在空氣中表面容易受潮， 導致電流和功率的衰減；
2、死層增加了發射區電子的複合， 以致少子壽命的降低， 進而降低了Voc和Isc；
3、磷矽玻璃會使得PECVD後產生色差。
一、刻蝕的原理
工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗→堿槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片
刻蝕槽HNO3和HF的混合液體會對擴散後矽片的下表面及邊緣進行腐蝕,以去除邊緣的N型矽,打破矽片表面短路通路。 因此刻蝕對於液位元高度的控制需要特別精確。 反應方程式：
3Si + 4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2 + 8H2O
去PSG磷矽玻璃的原理方程式：
SiO2+4HF=SiF4+2H2O
SiF4+2HF=H2[SiF6]
SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O
當電池片從HF槽出來後， 可觀察其表面脫水情況， 如果脫水效果良好， 則代表磷矽玻璃已去除較乾淨；如果表面水珠較多， 則代表磷矽玻璃未被去除乾淨， 可添加適量HF到HF槽中。
二、刻蝕工序工藝指標管控
當電池片經過刻蝕機台出來時， 首先檢查矽片表面， 絨面是否明顯斑跡， 是否有藥液殘留。 該工序一般要求面腐蝕深度控制在0.8～1.6μm範圍內,同時矽片表面刻蝕寬度不超過2mm, 刻蝕邊緣絕緣電阻大於1K歐姆。
對於刻蝕程度可以通過刻重來衡量——刻蝕前重量減去刻蝕後重量。
疏水性測試， 刻蝕後電池片需要=定時抽檢電池片疏水性， 疏水性可反映擴散的好壞。
反射率， 主要與刻重、電池片和藥液有關
三、刻蝕車間常見事項
異常處理， 刻蝕車間和制絨車間極其類似， 機台疊片、碎片、吹不幹、殘留和色斑等常見問題等都極為相似， 機台的維護、抽風、流量等引起的工藝問題類型也多相似。
1、純水電導率檢測、生產所用均為純水， 純度不高將直接導致電池片嚴重的品質問題；
2、空氣溫度和潔淨度， 電池片是就像繈褓中的嬰兒， 任何風吹草動都會引起相當大的後果；
3、化學濃度分析，
4、返工分類， 大過刻、小過刻等返工工藝不同， 需要對返工進行區分， 送至制絨車間。
四、總結
刻蝕車間的機器和制絨車間幾乎是同樣的， 同樣的RENA機器進行稍微的改動就可以使用在不要的工序， 同樣制絨車間面臨的問題刻蝕車間也同樣存在， 維護繁瑣， 有安全隱患等（具體可參見太陽能電池片科普系列制絨篇）。 刻蝕也屬於濕制程， 對藥液壽命 、藥液成分比例、週邊都同樣較為敏感， 問題出現都是批量性的， 問題處理上只能靠經驗和資料。
來源:北極星太陽能光伏網（獨家） 作者:陳雪松