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SOITEC推出為近紅外圖像感測器設計的新SOI襯底

據報導, 電子產業半導體材料設計和製造領導者法國Soitec公司, 近日宣佈推出了突破性的新一代SOI(silicon-on-insulator, 絕緣體上矽)襯底, 該產品是其Imager-SOI產品線的最新一代產品, 專為先進的3D 圖像感測器 等前端近紅外圖像傳感應用而設計。

Soitec目前已經能夠大規模提供這款成熟的SOI晶圓, 以滿足客戶在AR/VR(增強現實/虛擬實境)、人臉識別安防系統、先進的人機交互以及其它新興應用領域不斷增長的3D傳感和成像需求。

“我們最新的Imager-SOI襯底代表了公司在SOI領域的一項新的重大成就, 是有效提高近紅外波段傳感性能的明智選擇, 將加速推動不斷增長的3D成像和傳感市場新應用, ”Soitec公司數位電子業務部執行副總裁Christophe Maleville說, “利用我們在超薄材料層轉移方面的先進專有技術和廣泛的製造經驗, 可以在SOI上實現創新的 感測器 設計。 ”

採用SOI襯底的近紅外圖像感測器

Soitec公司推出的新型SOI襯底, 可以使矽基CMOS圖像感測器的高解析度運行範圍輕鬆地擴展至近紅外波段。 這款優化的SOI襯底大幅改善了圖像感測器在近紅外波段的信噪比。

根據Yole近期發佈的《3D成像和傳感-2017版》報告, 2016年, 3D成像和感測器件獲得了明顯的商業化發展, 市場規模超過13億美元。 近期隨著iPhone X的大獲成功,

又呈現出加速趨勢, 預計2018年在移動和計算領域將會有大量3D成像和傳感產品上市。 未來五年, 預 計3D成像和感測器件市場的複合年增長率可達37.7%, 2022年市場規模將達到90億美元。

蘋果iPhone X 3D攝像頭成本分析

近期, Yole旗下全資子公司System Plus Consulting拆解了蘋果iPhone X中的 3D傳感TrueDepth模組。

據稱, 其中的近紅外(NIR)圖像感測器便採用了Soitec公司的SOI晶圓, SOI晶圓在提高意法半導體(STMicroelectronics)開發的近紅外圖像感測器的靈敏度方面發揮了關鍵作用。

Christophe Maleville解釋道:“SOI晶圓的絕緣層, 功能就像一面鏡子, 紅外光能穿透至更深層, 並且反射回主動層。 有效地減少了圖元內的洩漏, 改善的靈敏度提供了良好的影像對比。 ”

蘋果採用意法半導體的近紅外圖像感測器, 象徵著SOI在圖像感測器大規模生產方面的開始, 將為Soitec等SOI晶圓製造商帶來巨大的市場機遇。

Soitec所掌握的核心技術Smart Cut

Soitec所掌握的Smart Cut技術, 使其具備生產全球最好的SOI晶圓的技術實力, 國際上其它SOI晶圓供應商如SunEdison(MEMC)和日本信越SEH, 也是得益於Soitec的Smart Cut技術授權。

Smart Cut技術由Soitec和CEA-Leti(法國原子能委員會電子與資訊技術實驗室,

世界上最重要的微電子研究實驗室之一)聯合開發。 Soitec使該技術成功地實現了商業化大規模生產。 現在, 該技術由Soitec所擁有的3000多件專利進行了嚴密保護。 如今, 大部分用於晶片製造的產業領先的SOI晶圓, 都是由晶圓供應商採用Smart Cut技術製造的。

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