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耳蝸內電位

我們知道, 耳蝸的前庭階和鼓階中充滿著外淋巴液, 而蝸管(中階)內含內淋巴液。 內、外淋巴液在離子組成上差異很大:內淋巴液的K+濃度比外淋巴液高30倍, 而外淋巴液的Na+濃度比內淋巴液高10倍。 這就造成了靜息狀態下耳蝸不同部位之間存在著電位差。 在耳蝸未受刺激時, 如果以鼓階中的外淋巴的電位為參考零電位, 則可測出蝸管內淋巴的電位為+80mV左右, 稱為耳蝸內電位(endocochlear potential, EP)。 在靜息情況下, 毛細胞的靜息電位為 -70~-80 mV。 由於毛細胞頂端浸浴在內淋巴液中, 因此毛細胞頂端膜內外的電位差可達160mV。 但蝸管的內淋巴不能到達毛細胞的基底部,

而外淋巴容易通過基底膜, 因此毛細胞基底部的浸浴液為外淋巴液, 在此部位毛細胞膜內外的電位差只有80mV左右。 耳蝸內電位對基底膜的機械位移很敏感, 當基底膜向鼓階方向位移時, 耳蝸內電位可增高10~15mV;當向前庭階位移時, 耳蝸內電位可降低10mV。 當基底膜持續位移時, 耳蝸內電位亦保持相應的變化。

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