擴大低電壓U-MOS IX-H功率MOSFET系列的產品陣容
東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日啟動“TPH3R70APL”和“TPN1200APL”的產品出貨， 這兩款產品是該公司低電壓U-MOS IX-H N溝道功率MOSFET系列的最新100V產品。 這些新器件適用於工業設備的電源應用。
此新聞稿包含多媒體內容。 完整新聞稿可在以下網址查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20171218005375/en/
TPH3R70APL和TPN1200APL採用該公司最先進的低電壓U-MOS IX-H溝道工藝製造， 對元件結構進行了優化， 具備業界最低的導通電阻[1]。 此外， 與使用U-MOS VIII-H工藝的現有器件相比， 這些新器件擁有更低的“RDS(ON) × Qoss”（導通電阻×輸出電荷）和“RDS(ON) × QSW”（導通電阻×柵極開關電荷）， 它們是面向開關應用的MOSFET的關鍵品質因數[2]。
為了順應市場趨勢， 東芝電子元件及存儲裝置株式會社將繼續擴大其MOSFET產品陣容， 以説明提高電源效率
應用場合
- 工業設備電源
- 電機控制設備
特點
- 業界最低導通電阻[1]
RDS(ON) = 3.7mΩ（最大值）@ VGS = 10V (TPH3R70APL)
RDS(ON) = 11.5mΩ（最大值）@ VGS = 10V (TPN1200APL)
- 低輸出電荷和低柵極開關電荷
- 支援4.5V邏輯電平驅動
主要規格
（除非另作說明， @Ta=25°C）
產品
型號
絕對
最大額定值
漏源極
導通電阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
總
柵極
電荷
Qg
典型值
(nC)
柵極
開關
電荷
Qsw
典型值
(nC)
輸出
電荷
Qoss
典型值
(nC)
輸入
電容
Ciss
典型值
(pF)
封裝
漏
源極
電壓
VDSS (V)
漏極
電流
(DC)
ID
@Tc =
25℃
(A)
@V
GS=
10V
@V
GS=
4.5V
TPH3R70APL
100
90
3.7
6.2
67
21
74
4850
SOP
Advance
TPN1200APL
40
11.5
20
24
7.5
24
1425
TSON
Advance
注：
[1] 截至2017年12月18日， 針對具備等效額定值的MOSFET。 東芝電子元件及存儲裝置株式會社調查。
[2] TPH3R70APL的RDS(ON) × Qoss值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
TPH3R70APL的RDS(ON) × QSW值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
有關MOSFET產品陣容的更多資訊， 請訪問如下連結：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
客戶垂詢：
功率器件銷售與行銷部
電話：+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*本新聞稿中的資訊， 包括產品價格和規格、服務內容以及聯繫資訊僅反映截至本新聞稿發佈之日的情況， 如有變動， 恕不另行通知。
關於東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社集新公司的活力與集團的經驗智慧於一體。 自2017年7月從東芝公司完成拆分以來， 我們已躋身領先的通用設備公司之列並為客戶和商業合作夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD解決方案。
公司遍佈全球的1.9萬名員工同心一致， 竭力實現公司產品價值的最大化， 同時重視與客戶的密切合作， 促進價值和新市場的共同創造。 我們期望基於目前超過7000億日元（60億美元）的年度銷售額， 致力於為全球人類創造更加美好的未來。