為2D互連和3D矽穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術與化學材料的開發商與生產商aveni S.A.今日宣佈， 其已獲得成果可有力支持在先進互連的後段制程中， 在5nm及以下技術節點可繼續使用銅。
「值此銅集成20周年之際， 我們的研究結果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見：『銅集成可持續使用』。 」aveni執行長Bruno Morel指出。
由於器件要滿足(和創造)市場需求， 因而不可避免地不斷縮小尺寸， 設計師們正不斷努力開發替代集成方案， 不僅包括前段制程的方案還有後段制程(BEOL)的方案。 其中， 最突出的是， 替換雙嵌入式互連中的銅線，
先進雙嵌入式結構採用原子層沉積氮化鉭(TaN)銅擴散阻擋層, 這是一種薄化學氣相沉積(CVD)鈷襯料， 和佈線為其主要構成物的電鍍銅填充層。 早代產品(≥7nm節點)也在鈷填孔和銅填孔間採用了物理氣相沉積(PVD)銅晶種層， 但先進器件由於邊際晶種覆蓋和集成障礙問題逐漸淘汰了這種膜層。
特別重要的一點是， 薄TaN阻隔層避免了銅的擴散和器件的損壞。 (TaN上的)薄鈷襯料的完整性對確保遮罩功能正常十分關鍵。 應用於5nm技術節點的鈷襯料的厚度減少至接近於3nm， 降低了傳統電鍍銅制程的靈活性。
在最近的研究中， aveni將其Sao™鹼性電鍍銅化學性能與傳統的商用酸性鍍銅的性能進行了比較。 電鍍樣品為TaN上3nm CVD鈷。 研究結果顯示， 酸性銅化學材料腐蝕了鈷填料， 導致電鍍化學物質與底層的TaN層發生反應並形成氧化鉭(TaOx)。
採用aveni的Sao化學材料的鈷依然保持完整， 也沒有形成TaOx， 這使銅互連延伸到5nm及以下的技術節點。
aveni首席技術官Frédéric Raynal評價說：「我們很興奮能獲得這些研究結果， 因為它們證實了我們對電鍍銅Sao鹼性化學材料優於酸性化學材料的定位， 尤其是在先進節點中薄鈷襯料技術的運用。 」
aveni將於2018年初公佈完整調查報告。