傳英特爾3D NAND攜手紫光 欲顛覆NAND Flash產業

集微網消息， 1月9日， 英特爾(Intel)宣佈與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之後分道揚鑣。 今日臺灣DIGITIMES報導指出， 業界透露英特爾在3D NAND佈局押寶大陸市場， 不僅擴充大陸12吋廠的產能， 後續不排除以技術授權等方式， 加速攜手紫光集團， 屆時恐顛覆NAND Flash產業。

DIGITIMES報導指出， 英特爾在2012年開始陸續退出新加坡廠的股份， 並降低對IM Flash合資廠的持股， 英特爾更開始擴張大陸市場， 將大連廠改裝成3D NAND工廠， 埋下英特爾與美光在3D NAND佈局各奔前程的伏筆。 觀察近些年英特爾在NAND Flash的策略， 早已步步疏離美光， 雙方正式宣告離異， 業界並不驚訝。

DIGITIMES稱， 紫光集團與英特爾一直有意擴大合作，

傳出有延伸至記憶體產業的跡象， 業界推測英特爾與美光“分手”的原因之一， 可看作英特爾大連3D NAND廠與紫光集團展開合作所做的前期佈局。

至於兩家公司分道揚鑣的理由， 此前有業界人士分析， 在NAND堆疊層數破百後， 需要調整String Stacking的堆疊方式， 因為雙方對此看法不同， 因而分手。 另外一種可能是， 目前3D NAND的生產主流是電荷儲存式（Charge trap） ， 三星電子等廠商均採用這一方式， 英特爾/美光是唯一採用浮閘（floating gate）架構的廠商。 也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構， 但這相當於承認失敗， 表明從2D NAND轉換成3D NAND後， 選用浮閘是一個錯誤決定， 因而鬧翻。

據DIGITIMES援引NAND Flash產業人士分析， 若英特爾與紫光集團合體進攻3D NAND市場， 這將會是三星、東芝(Toshiba)等大廠最怕見到的情況，

因為一旦大陸勢力介入現在六強鼎立的3D NAND市場生態， 恐讓市場供需更快速失衡， 陷入供過於求。 站在英特爾角度， 若英特爾引入紫光勢力， 不但可以給三星、東芝等陣營下馬威， 更可以有條件換取大陸更好的發展空間， 這一招聯陸抗日韓來說是非常不錯的戰術。

集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)也發表文章認為， 美光與英特爾未來在獨立開發NAND Flash技術後， 也不排除尋求如中國廠商等其他廠商合作的可能性， 以增加其市場影響力。

據集微網掌握的消息分析， 這一事件應該與紫光集團的關係不大。

據悉， 在3D NAND制程方面， 英特爾和美光已進入第二代產品可堆疊64層， 目前正在研發第三代產品， 預料將可實現96層的堆疊技術，

有望在2018年底、2019年初問世。 未來， 兩家公司還會繼續共同研發 3D XPoint 記憶體， 此一技術被譽為打破摩爾定律的革命技術。

英特爾強調， 雙方都認為， 獨立之後， 將能抽出更多精力優化自身產品、服務客戶， 且不會對路線圖和技術節點造成影響。 DRAMeXchange也表示， 由於96層3D NAND直到2019年才逐漸成為主流， 分析美光與英特爾拆分結盟的決議要到2020年後才會影響雙方產品的規劃與結構。