英特爾美光合作終止於3D NAND第三代產品

集微網消息， 英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint， 打造出25年以來的首款新型態記憶體技術。 2016年， 英特爾發佈採用3D XPoint技術的Optane品牌儲存產品， 成為該技術最先上市的新一代高性能固態硬碟(SSD)系列。 1月8日， 合作多年的兩家公司宣佈將在完成第三代 3D NAND 研發之後， 正式分道揚鑣。

外媒報導， 英特爾和美光 12 年前成立合資公司 IM Flash Technologies發展NAND。 在2012年的時候， 英特爾把多數IMFT工廠的股份賣給了美光， 而只保留Lehi這一個據點。 此後， 雙方就開始各自興建自己的生產線。 英特爾提供研發成本， 可分享 NAND 銷售收益。 目前， 英特爾NAND主要用於企業市場的固態硬碟（SSD）， 而美光除了銷售SSD， 還供應NAND Flash晶片產品給更多客戶。

目前， 兩家公司已進入第二代 3D NAND 制程， 可堆疊 64 層， 正在研發第三代產品， 預料將可實現 96 層的堆疊技術， 預計在 2018 年底、2019 年初問世。

去年11月， IM Flash B60晶圓廠完成擴建工程， 規模擴大後的晶圓廠將生產3D XPoint記憶體。

關於兩家公司分道揚鑣的理由，

一種猜測是， 在NAND堆疊層數破百後， 需要調整String Stacking的堆疊方式， 兩家公司對此看法不同， 因而分手。 另一種猜測是， 目前3D NAND的生產主流是電荷儲存式（Charge trap） ， 三星電子等廠商均採用這一方式， 英特爾/美光是唯一採用浮閘（floating gate）架構的廠商。 也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構， 但這相當於承認失敗， 表明從2D NAND轉換成3D NAND後， 選用浮閘是一個錯誤決定， 因而鬧翻。

值得注意的是， 兩家公司仍會繼續共同研發 3D XPoint 記憶體， 此一技術被譽為打破摩爾定律的革命技術。 英特爾強調， 雙方都認為， 獨立之後， 將能抽出更多精力優化自身產品、服務客戶， 且不會對路線圖和技術節點造成影響。 英特爾稱， 他們仍舊會在猶他州的Lehi工廠聯合研發製造。