據 AnandTech 報導， 英特爾（Intel）與鎂光（Micron）之間維持了很長一段時間的 NAND 快閃記憶體開發與製造合作， 將很快迎來終結 —— 兩家公司將在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之後分道揚鑣。 12 年前， 英特爾和鎂光成立了一家名叫 IMFT 的合資公司。 在固態硬碟成為主流前， IMFT 開始生產基於 72nm 平面工藝的 NAND 顆粒。 在歷史上的大部分時間裡， 該公司一直是全球四大 NAND 快閃記憶體製造商之一。
兩家公司的合作只涉及存儲技術和製造領域， 在共用快閃記憶體技術的基礎上， 兩家公司是各自開發、以及向公開市場銷售固態硬碟的。
對於即將面對的分道揚鑣，
自那時起， 兩家公司都各自建造了更多的廠區， 但研發工作仍然圍繞猶他州的這處設施展開。 英特爾拒絕向最終的 16nm 平面型 NAND 節點投資， 將這項任務完全拋給了鎂光自己。 與此同時， 他們的第一代 3D NAND 也在開發之中。
兩家公司在 NAND 快閃記憶體業務方面有著非常不同的側重點：英特爾的顆粒幾乎只給自家用， 而鎂光則慷慨地與協力廠商分享。 英特爾主攻的是企業市場， 近期多數消費級 SSD 的主控開發都外包了。
甚至在決定跳過 16nm IMFT 節點的時候（在自家 3D NAND 做好準備前並無成本優勢）， 英特爾還為一些用戶端和消費級 SSD 選用過從 SK 海力士那裡採購來的 16nm NAND 快閃記憶體。
隨著 59㎡ 的 256Gbit @ 64 層 3D TLC 快閃記憶體的推出， 鎂光在移動市場上表現出了越來越大的興趣。 儘管英特爾一直傾向於用更大的快閃記憶體晶片來支撐其企業級 SSD， 但這一選項在智慧機領域並不不是那麼方便。
當然， 即便有這些分歧， 也不至於是壓塌雙方合作的最後一根稻草。 AnandTech 指出， 即將到來的制程挑戰， 可能是促使它們尋找截然不同的策略的主因。
英特爾和美光當前正在推出第二代 64 層 3D NAND 快閃記憶體， 在第三代完成開發後， 其很有可能會轉向 96 層的設計。 而要將層數增加到三位數， 可能要在接下來的一兩代中採用堆疊。
兩家公司或許對何時在製造方式上作出改變上有些分歧， 還有一種可能是， 其中一方想要將 3D 浮動柵極架構、換成更類似于三星等 3D NAND 廠商的電荷陷阱式設計。
這一舉措將對兩家公司的戰略產生重大的影響， 其中一方不得不完全承認失敗。 有跡象表明， 在 2D 到 3D 轉進的過程中， 浮動柵極已經開始成為一個障礙。
然而截至目前， 兩家公司都沒有表現出任何技術變革的跡象。 在此之前的幾年時間裡， 這種改變隨時可能發生， 並根據對方採取的方法來判斷。
也有一種可能是， 兩家公司的 NAND 快閃記憶體技術， 會在未來更多代產品上保持大同小異。 不過分道揚鑣之後， 並不會影響 IMFT 的 3D XPoint 存儲技術的開發與製造。
目前只有英特爾將 3D XPoint 產品推向市場（比如傲騰快閃記憶體）， 而鎂光這邊的 QuantX 仍屬於處於真空狀態。 不過除了聲明繼續聯合開發 3D XPoint 之外， 鎂光今日沒有透露有關這項技術的後續計畫。