根據韓聯社的報導， 韓國記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）於10日宣佈， 研發出全球首款容量256Gb的第4代72層堆疊3D NAND Flash， 預計2017年下半年量產。
而該產品量產後， 將超越日前由日本半導體大廠東芝（Toshiba）所推出的容量256Gb的64層3D NAND Flash的儲存密度。
報導指出， NAND Flash記憶體供應商為滿足客戶不斷增加的儲存空間需求， 正不斷強化3D堆疊設計， 提升NAND Flash的儲存密度。
其中， 雖然韓國記憶體大廠三星電子和東芝都已經研發出3D NAND Flash， 但僅堆疊到64層。
而本次， SK海力士研發出的3D NAND Flash達到72層架構， 與其他兩家公司的產品相同， SK海力士的72層架構3D NAND Flash也提供256Gb的儲存容量。
報導中進一步強調，
根據SK海力士內部一位負責人表示， 成功研發出72層堆疊架構的3D NAND Flash， 意味著公司已掌握產業中最頂尖的技術。
當前， 由人工智慧（AI）、大資料等資訊科學領導的第4次工業革命方興未艾， 使3D NAND Flash的需求達到爆發式成長。
資料顯示， 2017年全球NAND Flash市場規模達465億美元。 而到2021年， 市場規模可望達到565億美元， 這使各家大廠紛紛加入， 搶食大餅。