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聯電在國內對美光提起 3 起訴訟,並索賠 2.7 億元

集微網消息, 2017年12月, 美光科技在美國加州提起民事訴訟, 控告聯電及福建晉華侵害DRAM的營業秘密。 對此, 聯電今日作出了反擊, 分別向福州市中級人民法院遞狀, 對美光半導體(西安)、美光半導體銷售(上海)、廈門市思明區信通源電腦經營部、廈門安泰勝電子科技等公司提起 3 起訴訟, 請求賠償金額總計人民幣 2.7 億元。

此外, 聯電請求法院判令相關被告停止製造、加工、進口、銷售、許諾銷售被訴侵權產品之行為, 並銷毀全部庫存及相關模具與工具。

據悉, 聯電不僅控告美光侵犯其多項專利, 並主張美光製造、生產、銷售的 Crucial DDR4 2400 8G 筆記型電腦記憶體、Crucial MX300 2.5-inch SSD 525GB 固態硬碟與七彩虹 iGame1080 烈焰戰神 X-8GD5X 顯卡中的顯卡存儲晶片涉嫌侵害聯電在中國大陸的專利。

聯電表示, 公司長期投入大量資源和人力, 研發半導體製造技術, 成果用於邏輯晶片或記憶體晶片(DRAM), 歷年來已經在各國提出申請, 並獲得多項專利, 也不斷關注公司專利在市場上的狀況。 而美光為國際知名公司, 最近一年間對聯電動作頻頻, 明顯將其與離職員工間之爭議, 渲染為企業間的侵害行為, 並在美國起訴聯電。 而經過深入檢視, 聯電發現美光公司在中國大陸銷售的產品, 侵害了聯電的專利權, 因此在中國大陸提出專利侵權訴訟, 希望能獲得公正裁判。

實際上, 美光和聯電之間的糾紛還得追溯至去年。

2017年5月, 聯電宣佈與福建省晉華積體電路公司簽約合作, 聯電接受晉華委託開發 DRAM 相關制程技術。 有關聯電與晉華合作, 臺灣地檢署調查系由晉華提供三億美元資金採購研發設備, 並依進度陸續支付聯電四億美元, 開發成果雙方共有, 整體技術完成後, 再轉移到晉華進行量產。

2017 年 9 月, 台中地檢署查出臺灣美光的何姓、王姓員工跳槽到聯電, 涉嫌將美光DRAM 技術洩漏給聯電, 幫助聯電開發 32nm DRAM 設計規則可迅速完成, 依違反營業秘密法等罪嫌, 起訴何姓、王姓男子、聯電的戎姓協理及聯電公司。

隨後在 2017 年底, 美光科技在美國加州提起民事訴訟, 控告聯電及福建晉華侵害DRAM的營業秘密。

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