1月9日， 英特爾與美光公司宣佈， 雙方將在完成第三代3D NAND技術研發之後， 各自獨立開發3D NAND快閃記憶體晶片。 這意味著屆時在記憶體領域兩者維持多年的合作關係亦將隨之結束。
產業佈局已全面鋪開
2018新年伊始， 位於四川成都天府新區的紫光IC國際城專案便已傳出消息， 專案建設正式啟動。 紫光集團董事長趙偉國在致辭中表示， 此次啟動的天府新區紫光IC國際城項目是紫光集團在晶片製造領域的三大佈局之一。 專案全部建成後， 除了實現月產30萬片12英寸3D NAND晶圓外，
趙偉國提到的紫光在存儲晶片的三大佈局是指武漢長江存儲建設的國家記憶體基地、南京建設的紫光IC國際城， 以及此次啟動的天府新區紫光IC國際城項目。 目前為止， 長江存儲進展最快， 一期工廠已經竣工， 預計將於2018年投入使用， 項目一期達產後， 總產能將達到30萬片/月， 年產值將超過100億美元。 南京專案也已進入實質性啟動階段。
2017年11月專案啟動， 投資300億美元打造半導體產業基地， 並投資300億元進行紫光IC國際城項目建設， 主要生產3D NAND和DRAM晶片;基地一期正式達產後， 將月產10萬片，
針對2017至2018年度公司如此密集地展開產業佈局， 趙偉國表示， 存儲晶片產業必須有規模， 建設三大基地就是為了追求規模效應， 未來三大基地將在研發和生產、市場、銷售上協調一致行動。 其實， 除了產業基地的建設之外， 紫光在存儲晶片產業鏈上也進行了相應佈局。 目前紫光在存儲領域的佈局， 包括存儲晶片的製造、封測和SSD， 基本是一個完整的產業鏈。 最新進展包括武漢、南京、成都存儲晶片工廠建設順利， 研發進展正常， 上海巨集茂的存儲晶片封測專案正在進行中， 蘇州的SSD工廠已開工建設。
然而， 紫光在存儲晶片上產業佈局全面鋪開的同時，
具體來看， 紫光面臨的挑戰可以歸結為三個方面：專利技術、資金和市場。
專利技術：還要立足自主研發
2017年12月4日， 美光公司根據“保護營業秘密法”(Defend Trade Secrets Act)， 以及“反勒索及受賄組織法”(Racketeer Influencedand Corrupt Organization Act)， 在美國加州北部聯邦法庭提起民事訴訟申請， 狀告代工廠聯華電子(UMC)和福建晉華盜竊其商業機密等不當行為。 此案立即引起業界廣泛關注。 ICInsights總裁兼執行長Bill McClean在接受媒體採訪時表示：“我不知道他們要如何在不碰觸三星、海力士和美光所擁有的專利下生產記憶體片。
這或許就是在英特爾剛剛宣佈未來將結束與美光合作關係之後， 就有人猜測英特爾將與紫光在3D NAND上展開合作的原因。 業界普遍對中國企業能自主開發(且不違反專利)存儲晶片沒有信心。
此前， 英特爾與紫光集團在通信晶片上已有合作， 似乎並不排除兩家公司將合作進一步擴展的可能性， 但沒有進一步印證相關猜測的消息傳出。 而就目前情況來看， 紫光在存儲晶片上的發展應是立足自主研發為主。 相關消息顯示， 在3D NAND快閃記憶體方面， 長江存儲已經研發出了32層64G的完全自主智慧財產權的3D NAND晶片，2018年將可實現量產。在DRAM方面，紫光國芯，前身是成立於2001年的晶源電子，是國內壓電晶體元器件領域的領軍企業，2015年紫光集團成為紫光國芯的控股股東後，將由原奇夢達科技(西安)有限公司改制重建基礎上發展起來的西安紫光國芯半導體有限公司置入其中。原奇夢達科技(西安)有限公司是歐洲記憶體公司奇夢達(後被收購)在中國設立的設計中心，具有記憶體晶片的開發設計能力。目前其在DRAM記憶體晶片方面已經形成較為完整的系列，產品介面覆蓋SDR、DDR、DDR2和DDR3 DRAM，並開發出相關的記憶體模組產品。此前，紫光國芯面臨的最大挑戰是缺少晶圓廠的支持。隨著紫光集團大力佈局存儲晶片製造基地，已經形成相對完整的產業鏈，立足自主開發記憶體並非不可能。
10年1000億美元的投資多嗎?
資金問題是外界質疑紫光記憶體事業的另一重點。長江存儲總投資超過240億美元(預計最終全部投資280億美元)，四川成都天府新區紫光IC國際城項目總投資超過2000億元，南京專案總投資300億美元。也就是說，紫光陸續規劃在武漢、成都、南京的投資近1000億美元。
對此，趙偉國在接受媒體採訪時指出：“之所以規劃了10年1000億美元的投資，是因為這個行業具有以下特點：資本密集、人才密集、技術密集、全球競爭，晶片製造不僅是高端製造，而且是尖端製造。10年1000億美元的投資，平均每年也就是100億美元，英特爾、台積電、三星每年在晶片製造上的資本開支，每家都超過了100億美元。因此達不到每年100億美元的投資規模，根本就進入不了全球晶片製造的第一集團。”
然而，如此海量的資金，紫光又將如何籌措呢?除了國家積體電路產業投資基金和國開行、中國進出口銀行等金融機構的支援外，紫光也在多方籌措資金，包括設立各種基金，與地方政府聯合投資，在資本層面合作等。此外，趙偉國還提出了設立“中國積體電路股份有限公司”的設想。研究三星的發展可以發現，三星是一個科技資本財團，晶片業務只是三星的一部分業務，三星的金融和其他實業為晶片產業的發展，提供了巨額資金。紫光要借鑒三星的發展，成為一個以晶片和雲網為主導業務的綜合性科技財團，這樣紫光才有可能完成振興中國積體電路產業的大業。
“板凳要坐十年冷”的心理準備
紫光存儲事業未來面臨最大的挑戰是“市場關”。記憶體是一個高投入、高風險、高壁壘的戰場，當年三星為了發展記憶體晶片事業連續忍受13年的虧損，才最終實現盈利。這意味著，紫光發展存儲事業的初期也很有可能面臨一段長時期的虧損局面。
從當前市場競爭態勢來看，東芝與西部資料在2017年經歷了長時間的法律訴訟與合資爭議之後，已於2017年12月13日達成和解，協定包括雙方延展合資關係至2029年，並確保西部資料在Fab6工廠中能夠參與投資，確保了西部資料可以繼續參與96層以後3D NAND Flash的競爭。東芝隨即在12月21日宣佈Fab 7的興建計畫。集邦諮詢半導體研究中心指出，隨著東芝、三星、英特爾、長江存儲等都將擴增NAND Flash產能，對NAND 快閃記憶體產業的影響將在2019年轉趨明顯，整體產業可望呈現供過於求的狀況。
集邦諮詢半導體研究中心表示，觀察中國大陸在NAND快閃記憶體領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發廠商。由於長江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層，才有機會進軍SSD市場，但此市場技術競爭相當激烈，短期會難以在成本上取得優勢。
可見，量產初期的市場挑戰將是紫光在記憶體上的最大挑戰。在加快技術開發的同時，只有拿出足夠的耐心與堅持。這方面，趙偉國在有著清醒的認識。“目前在主流存儲晶片產品領域，中國完全是空白，在長江存儲專案之前，不是縮短差距的問題，原來是零，所以和國際巨頭的距離是無限遠，我想有五年的時間，我們可以站穩腳跟，再有五年，應該有相當的成就，所以要有‘板凳要坐十年冷’的心理準備和戰略耐力。”趙偉國說。
長江存儲已經研發出了32層64G的完全自主智慧財產權的3D NAND晶片，2018年將可實現量產。在DRAM方面，紫光國芯，前身是成立於2001年的晶源電子，是國內壓電晶體元器件領域的領軍企業，2015年紫光集團成為紫光國芯的控股股東後，將由原奇夢達科技(西安)有限公司改制重建基礎上發展起來的西安紫光國芯半導體有限公司置入其中。原奇夢達科技(西安)有限公司是歐洲記憶體公司奇夢達(後被收購)在中國設立的設計中心，具有記憶體晶片的開發設計能力。目前其在DRAM記憶體晶片方面已經形成較為完整的系列，產品介面覆蓋SDR、DDR、DDR2和DDR3 DRAM，並開發出相關的記憶體模組產品。此前，紫光國芯面臨的最大挑戰是缺少晶圓廠的支持。隨著紫光集團大力佈局存儲晶片製造基地，已經形成相對完整的產業鏈，立足自主開發記憶體並非不可能。10年1000億美元的投資多嗎?
資金問題是外界質疑紫光記憶體事業的另一重點。長江存儲總投資超過240億美元(預計最終全部投資280億美元)，四川成都天府新區紫光IC國際城項目總投資超過2000億元，南京專案總投資300億美元。也就是說，紫光陸續規劃在武漢、成都、南京的投資近1000億美元。
對此，趙偉國在接受媒體採訪時指出：“之所以規劃了10年1000億美元的投資，是因為這個行業具有以下特點：資本密集、人才密集、技術密集、全球競爭，晶片製造不僅是高端製造，而且是尖端製造。10年1000億美元的投資，平均每年也就是100億美元，英特爾、台積電、三星每年在晶片製造上的資本開支，每家都超過了100億美元。因此達不到每年100億美元的投資規模，根本就進入不了全球晶片製造的第一集團。”
然而，如此海量的資金，紫光又將如何籌措呢?除了國家積體電路產業投資基金和國開行、中國進出口銀行等金融機構的支援外，紫光也在多方籌措資金，包括設立各種基金，與地方政府聯合投資，在資本層面合作等。此外，趙偉國還提出了設立“中國積體電路股份有限公司”的設想。研究三星的發展可以發現，三星是一個科技資本財團，晶片業務只是三星的一部分業務，三星的金融和其他實業為晶片產業的發展，提供了巨額資金。紫光要借鑒三星的發展，成為一個以晶片和雲網為主導業務的綜合性科技財團，這樣紫光才有可能完成振興中國積體電路產業的大業。
“板凳要坐十年冷”的心理準備
紫光存儲事業未來面臨最大的挑戰是“市場關”。記憶體是一個高投入、高風險、高壁壘的戰場，當年三星為了發展記憶體晶片事業連續忍受13年的虧損，才最終實現盈利。這意味著，紫光發展存儲事業的初期也很有可能面臨一段長時期的虧損局面。
從當前市場競爭態勢來看，東芝與西部資料在2017年經歷了長時間的法律訴訟與合資爭議之後，已於2017年12月13日達成和解，協定包括雙方延展合資關係至2029年，並確保西部資料在Fab6工廠中能夠參與投資，確保了西部資料可以繼續參與96層以後3D NAND Flash的競爭。東芝隨即在12月21日宣佈Fab 7的興建計畫。集邦諮詢半導體研究中心指出，隨著東芝、三星、英特爾、長江存儲等都將擴增NAND Flash產能，對NAND 快閃記憶體產業的影響將在2019年轉趨明顯，整體產業可望呈現供過於求的狀況。
集邦諮詢半導體研究中心表示，觀察中國大陸在NAND快閃記憶體領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發廠商。由於長江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層，才有機會進軍SSD市場，但此市場技術競爭相當激烈，短期會難以在成本上取得優勢。
可見，量產初期的市場挑戰將是紫光在記憶體上的最大挑戰。在加快技術開發的同時，只有拿出足夠的耐心與堅持。這方面，趙偉國在有著清醒的認識。“目前在主流存儲晶片產品領域，中國完全是空白，在長江存儲專案之前，不是縮短差距的問題，原來是零，所以和國際巨頭的距離是無限遠，我想有五年的時間，我們可以站穩腳跟，再有五年，應該有相當的成就，所以要有‘板凳要坐十年冷’的心理準備和戰略耐力。”趙偉國說。