東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣佈研發出新一代TarfSOITM（東芝先進的RF SOI[1]）工藝——“TaRF10”， 該工藝經優化適用于智慧手機應用中的低雜訊放大器(LNA)。
近年來， 移動資料通信的快速發展使得射頻開關和濾波器在移動設備類比前端中得到了廣泛應用。 從而導致天線與接收器電路之間的信號損耗增加， 使得接收器靈敏度下降， 而低雜訊係數[2](NF)的LNA成為補償信號損耗和提高接收信號完整性的關鍵。
東芝電子元件及存儲裝置株式會社已利用其全新的TaRF10工藝成功研發出LNA原型機， 該原型機可在1.8GHz頻率下實現0.72dB的卓越雜訊係數和16.9dB的增益[3]。
移動設備在接收器電路中使用大量射頻開關和LNA， 因此需減少電路尺寸來減少對基板面積的佔用。 目前， LNA通常使用矽鍺碳(SiGe:C)雙極電晶體， 這使得在同一晶片上集成採用不同工藝製造的LNA和射頻開關非常困難。
由於TaRF10新工藝與製造射頻開關的TaRF8和TaRF9工藝高度相容， 可確保卓越的射頻特性， 因此可在單一晶片上實現LNA、控制電路和射頻開關的集成。 與TaRF8相比， TaRF9實現了更低的插入損耗和信號失真。 如今， 東芝電子元件及存儲裝置株式會社計畫將搭載集成射頻開關的LNA投放市場。
東芝電子元件及存儲裝置株式會社依託旗下子公司Japan Semiconductor Corporation採用最新的SOI-CMOS技術成功研發出射頻IC， 公司有能力實施從射頻工藝技術研發到設計和製造的全部生產流程，
該公司將繼續利用尖端技術進一步改進TarfSOITM工藝特性並研發射頻IC， 以滿足下一代5G智慧手機的市場需求。
表1.LNA的主要規格模式採用TaRF 10
工藝的LNA
單位晶片尺寸-0.70×0.43Mm頻率-1.8GHz電源電壓-1.8V電源電流增益模式7.4mA旁路模式50μA控制電壓增益模式1.8V旁路模式0V
增益增益模式16.9dB旁路模式-1.6dB
NF增益模式0.72dB回波損耗（輸入）增益模式8.4dB回波損耗（輸出）增益模式12.1dB反向隔離增益模式26.5dBIP1dB增益模式-8.9dBmIIP3增益模式4.3dBm
注：
[1] TarfSOITM（東芝先進的RF SOI）：東芝獨一無二的絕緣矽互補金屬氧化物半導體(SOI-CMOS)前端工藝
[2] 雜訊係數：輸出端信噪比和輸入端信噪比的比值。 雜訊係數越低， 放大器自身雜訊則越低， 因此雜訊係數越低越好。
[3] 增益：放大器輸出功率與輸入功率的比值，
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