行動裝置的處理性能越來越強，
4K影像處理、AI人工智慧、VR/AR/MR等環境感知處理均能夠透過手機實現，
在這背後也需要強大的儲存裝置作為後盾。
JEDEC發表UFS 3.0與UFS記憶卡1.1延伸規範，
介面資料傳輸率最高達23.2Gbps。
負責制定固態與半導體工業相關標準的JEDEC， 大家較為熟悉的業務屬性為DDR、DDR2、DDR3、DDR4以及LPDDR、GDDR、HBM等動態內存標準， 近日發表UFS 3.0與UFS記憶卡1.1延伸規範， 採用MIPI M-PHY v4.1以及MIPI UniProSM v1.8作為晶片互連規範， M-PHY HS-Gear4則作為實體層， 類似于網路分層傳輸概念， 單通道即可達11.6Gbps的資料傳輸速率， 而雙通道即享有23.2Gbps。 不過MIPI M-PHY v4.1使用8b/10b編碼模式， 因此實際傳輸量需要打個8折。 （UFS 2.1最高使用M-PHY HS-Gear3、單通道5.8Gbps）
主要的VCC供電除了延續3.3V之外， 往下新增2.5V供電電壓， 具備更為省電的特性之外， 也是為了支持新一代的快閃記憶體（TLC、3D堆疊）。 此外因應更廣泛的應用情境， UFS 3.0新增延伸溫度範圍（-40℃～105℃）方便導入運作溫差範圍較大的車輛市場；在高溫應用場合， 儲存單元的電子流失速率也會比較快一些， 於此新增更新（refresh）功能， 讓控制器能夠因應周遭溫度， 自行判斷是否需要把資料移動並寫入另外的儲存單元， 延長資料壽命。
UFS 3.0未來除了應用在手機、平板、車輛內部的儲存裝置， 代替過去的eMMC 5.1、UFS 2.0/2.1；由SCSI架構模型延伸過來的規範， 支援TCQ（Tagged Command Queuing）， 更比SD協會的UHS -III 624MB/s半雙工傳輸模式快上許多。 只是規範往往走在市場應用面的前方， 未來預計推出的Qualcomm Snapdragon 845、Samsung Exynos 9810都沒有支持跡象。