您的位置:首頁>科技>正文

下一代存儲晶片比現在快1000倍 預計明年研發成功

下一代存儲晶片比現在快1000倍 預計明年研發成功

武漢光電國家研究中心研發團隊正在研發“下一代存儲晶片”。 基於相變記憶體的3D XPOINT記憶體技術,

預計明年能在實驗室研發成功。 這款晶片的讀寫速度將比現在快1000倍, 可靠性提高1000倍, 一旦產業化成功, 將顛覆產業格局。

Next Article
喜欢就按个赞吧!!!
点击关闭提示