中國人又點出一項雷達元件黑科技？

《Semiconductor Today》報導截圖

張凱博士的論文聚焦重點實驗室近期在GaN高線性技術方面獲得的多個重要突破， 創新提出三維GaN FinFET微波功率器件,克服了GaN平面器件瓶頸，

極大改善了跨導平整度， 大幅提升GaN器件線性度,同時維持高的輸出功率和效率， 為下一代移動通信高性能元器件奠定基礎。 本成果也是首次展示GaN三維器件相對於二維器件在微波功率應用的優勢與潛力， 有力推動了GaN三維器件的實用化進程。 該成果研製過程中得到國家自然科學基金、預研基金等課題的支持。

NEDI提出的高線性GaN FinFET器件以及跨導特性

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而CETC第五十五研究所是我國大型電子器件研究、開發及應用研究所之一， 擁有砷化鎵微波毫米波單片和模組電路國家重點實驗室、國家平板顯示工程技術研究中心, 主要從事微電子、光電子、真空電子和MEMS等領域的各種器件、電路、部件和整機系統的開發和生產。 對於我國國防工業來說， 該所最大的貢獻莫過於研發的T/R元件，

即無線電收發模組， 主要應用於各種相控陣雷達上， 包括戰鬥機火控雷達， 預警機， “中華神盾”和防空用雷達等。

影響相控陣雷達的除了雷達基礎結構設計之外， 作為最前端負責無線電收發的T/R元件性能對雷達整體性能的影響也是非常大的。 目前國際主流的T/R元件類型有砷化鎵和氮化鎵兩種， 其中氮化鎵是近幾年才出現的新興事物， 不光應用于雷達射頻等設備， 無線電通信也非常需要高性能的氮化鎵半導體元件。

同為中電集團下屬14所生產的KLJ-7A相控陣雷達， 安裝有多達1000多個T/R元件

作為專門負責T/R元件研發的單位， 五十五所在突破了砷化鎵T/R組建之後就馬不停蹄的繼續為中國國防工業研發了氮化鎵T/R元件。 然而由於材料特性等原因， 作為新生事物氮化鎵T/R元件會出現一些原先所沒有遇到過的問題。 除了採用金剛石作為襯底材料來改善熱傳導性能， 降低元件功耗之外， 三維GaN FinFET的應用可以說是另闢蹊徑。

在當前半導體行業開始推進各種三維結構晶片的潮流下，

引入三維結構， 將GaN二維器件改進成三維結構， 可以說是一大創新。 簡單的說， 一樣的功耗， 體積的T/R元件， 將能提供出更精確的雷達波形和更高的射頻功率， 在不增加外部能耗需求的情況下， 進一步提高雷達基本性能。