315過去後， 就可以期待各家手機廠商推出的旗艦新機了……你可能會奇怪， 315和手機廠商發佈主力新機有什麼關係嗎？從以往經驗來看， 好像並沒有， 但今年比較特殊， 因為到目前， 拿出自家鎮店旗艦產品的委實不多。 在往年， 這個時候三星家的Galaxy S新旗艦早就笑傲江湖了， 還有小米， 記得去年小米5也是在2月24日就早早問世了……今年大家都在等什麼呢？答案很顯然：高通“掉隊”了， 驍龍835遲遲沒動靜， 手機廠商們也是望眼欲穿……
不過好在， 高通已經宣佈在3月22日亞洲首秀高通驍龍835處理器， 這是個好信號， 至少說明這款處理器能拿出來溜溜了， 雖然還沒有大規模鋪貨， 但至少讓人看到了鋪貨的希望， 手機廠商們也有盼頭了。 不過此前一度有傳聞三星S8將獨佔驍龍835處理器的初期供貨， 雖然後來半路殺出的索尼打破了這個傳聞， 但考慮三星和高通的關係， 其他廠商想要拿貨，
當年驍龍810一聲“老子發燒”， 讓一眾手機廠商苦不堪言， 而現在驍龍835一聲“老子難產”， 影響的同樣是不少手機廠商的產品計畫， 這裡關於廠商自研處理器的重要性和優勢就不說了。 其實不僅是驍龍835， 同為10nm的像三星Exynos8895、聯發科的Heilo X30等，
首先， 當今半導體產業有晶片代工能力的主要是三家：三星、台積電、和Intel， 而在移動端市場， 雖然Intel早前曾放言未來會代工ARM晶片， 但目前， 仍然是三星和台積電的天下。 2017年， 10nm制程是智慧手機晶片市場的重要賣點， 但根據《電子時報》早前的報導， 目前三星和台積電的10nm工藝均面臨著良率不理想的難題。
在CPU市場， 人們喜愛談論某款CPU採用了XX nm制程工藝， 因為這一指標的每一次提升， 帶來的都是性能的高漲和功耗的降低， 對於晶片產業十分重要。 那麼這個XX nm背後意味著什麼？我們知道， 一款CPU中包含上億個電晶體，
圖片中給了兩個電晶體， 但代表的是兩種技術， 都可以作為參考
圖中的電晶體結構中， “Gate（柵極）”可以看做是“閘”， 主要負責控制兩端Source（源極）和Drain（漏級）的通斷， 電流從源極流入漏極， 而這時的柵極的寬度決定了電流通過時的損耗，
對於晶片製造商而言， 自然是力求柵極寬度越窄越好， 不過當寬度逼近20nm時， 柵極對電流控制能力急劇下降， 漏電率相應提高， 對生產工藝的難度要求也上了一個臺階， 例如台積電在這段時間一度遭遇漏電和產能的問題。而工藝繼續微縮，矽電晶體的尺寸縮小到一定程度（業內認為小於10nm）時會產生量子效應，導致電晶體的特性難以控制，這時候對於晶片的製造生產難度顯然成倍增長。因此，在10nm這個節點上，對三星、台積電這樣的代工廠而言，考驗和壓力可想而知。
另外，隨著晶片制程來到10nm，設計製造成本的翻漲也令人咋舌。根據市場研究機構IBS的調研報告，10nm制程晶片的設計成本相比14nm，增加接近5成，持續而巨大的資金投入也是10nm晶片量產的一道難關。
由此可見，對於高通而言，驍龍835的遲到實在不是自己能左右的，在10nm制程半導體廠商爭王奪霸的關鍵時候，代工廠們也在憋著勁看誰能首先克服良率的難關，這種節骨眼上，即便遲到，相信高通也是有苦難言啊。
目前來看，對於非常歡騰的大批國內手機廠商而言，“必須搭載”驍龍835的旗艦手機延遲推出的可能性是非常大的，當然，也不排除有廠商拿到其中一些“體質較差”晶片，帶著“降頻版”的背景搶個“彩頭”。
說到這裡你可能會問，對於三星、台積電們而言，接下來怎麼辦呢？誰能夠搶下10nm節點的flag呢？
這就要看誰能夠最先實現新技術的成熟了。例如在20/22nm工藝節點上，Intel引入了3D FinFET技術，把柵極制做成下圖右面的形狀，增大接觸面積，減少柵極寬度的同時保證對電流的控制，後來FinFET技術也被三星台積電等大範圍使用，而在10nm往後，FinFET技術也要到天花板了，在技術上進行突破創新是必然之選，目前，半導體廠商們正在積極研究FD-SOI（全耗盡絕緣體矽）工藝、矽光子技術、3D堆疊技術等，也投入了鉅資，為日後的7nm、甚至5nm做準備，彼此間的競爭也將進一步加劇。
縱觀今年高通驍龍835處理器遲到的背後，實則是半導體產業鏈蛻變前期的陣痛，三星和台積電之間的競爭已經來到白熱化階段（Intel的10nm制程進展雖然落後，但在工藝上自信更加先進，這裡就不展開講了），也許熬過了這個“難產期”，整個展業會迎來“新生命”。
例如台積電在這段時間一度遭遇漏電和產能的問題。而工藝繼續微縮，矽電晶體的尺寸縮小到一定程度（業內認為小於10nm）時會產生量子效應，導致電晶體的特性難以控制，這時候對於晶片的製造生產難度顯然成倍增長。因此，在10nm這個節點上，對三星、台積電這樣的代工廠而言，考驗和壓力可想而知。另外，隨著晶片制程來到10nm，設計製造成本的翻漲也令人咋舌。根據市場研究機構IBS的調研報告，10nm制程晶片的設計成本相比14nm，增加接近5成，持續而巨大的資金投入也是10nm晶片量產的一道難關。
由此可見，對於高通而言，驍龍835的遲到實在不是自己能左右的，在10nm制程半導體廠商爭王奪霸的關鍵時候，代工廠們也在憋著勁看誰能首先克服良率的難關，這種節骨眼上，即便遲到，相信高通也是有苦難言啊。
目前來看，對於非常歡騰的大批國內手機廠商而言，“必須搭載”驍龍835的旗艦手機延遲推出的可能性是非常大的，當然，也不排除有廠商拿到其中一些“體質較差”晶片，帶著“降頻版”的背景搶個“彩頭”。
說到這裡你可能會問，對於三星、台積電們而言，接下來怎麼辦呢？誰能夠搶下10nm節點的flag呢？
這就要看誰能夠最先實現新技術的成熟了。例如在20/22nm工藝節點上，Intel引入了3D FinFET技術，把柵極制做成下圖右面的形狀，增大接觸面積，減少柵極寬度的同時保證對電流的控制，後來FinFET技術也被三星台積電等大範圍使用，而在10nm往後，FinFET技術也要到天花板了，在技術上進行突破創新是必然之選，目前，半導體廠商們正在積極研究FD-SOI（全耗盡絕緣體矽）工藝、矽光子技術、3D堆疊技術等，也投入了鉅資，為日後的7nm、甚至5nm做準備，彼此間的競爭也將進一步加劇。
縱觀今年高通驍龍835處理器遲到的背後，實則是半導體產業鏈蛻變前期的陣痛，三星和台積電之間的競爭已經來到白熱化階段（Intel的10nm制程進展雖然落後，但在工藝上自信更加先進，這裡就不展開講了），也許熬過了這個“難產期”，整個展業會迎來“新生命”。