如果因為某種原因不幸失去了記憶，
施加電刺激會幫助你恢復記憶；反之，
如果記憶力正常，
電刺激反而會起反作用。
賓夕法尼亞大學的研究小組在《當代生物學》上發表了他們的研究成果。
首次證明了這一觀點。
恢復記憶是美國國防高級研究計畫（DARPA）為期四年的研究專案， 旨在開發新技術， 以改善記憶喪失患者的記憶功能。 新研究表明， 在適當時機對腦部施加刺激， 才能取得較好的治療效果， 在記憶恢復研究上邁出了重要的一步。
研究人員將電極植入到患者腦中， 測量大腦各部位的電信號， 記錄大腦在形成記憶或記憶失敗時的不同活動模式， 並利用機器學習來解密記憶強弱的電信號， 進而識別出大腦有效記憶和無效記憶的神經活動模式。
利用該模式， 研究人員要求受試者在接受安全範圍的腦刺激時， 學習和回憶常用單詞表， 來測量在有效記憶期和無效記憶期， 電刺激對記憶功能的影響。 結果發現， 在有效記憶期施加電刺激， 記憶變壞。
在無效記憶期施加電刺激， 記憶會得到顯著提高。 研究人員認為， 人類大腦與交通有相似之處， 而電刺激可以起到類似恢復交通正常秩序的作用。
研究人員表示， 深刻理解大腦的這一過程， 可提高多種類型患者， 尤其是那些創傷性腦損傷或阿爾茨海默氏症等神經系統疾病患者的生活品質。
根據不同類型來施加刺激的技術， 在恢復記憶功能方面具有十分重要的意義， 但從概念驗證到實際治療仍需進行更多的研究。