晶圓代工龍頭台積電技術論壇自美國起跑， 根據外電網站報導指出， 台積電預估， 今年約當12吋晶圓出貨約達1100萬片， 較去年成長1成， 在7納米制程上， 台積電預期， 該公司將是第一個採用EUV制程量產7納米的廠商， 進度仍可望超前三星。
台積電在技術論壇上， 揭露各項新制程技術發展， 其中7 納米制程採用256MB SRAM 生產的良率已達76%， 明年進入量產， 預期安謀(ARM) Cortex A72 處理器將採用該制程生產。
在7 納米制程上， 台積電預估， 將很快導入EUV 制程， 台積電將是第一個使用EUV 量產7 納米制程的晶圓廠， 進度比三星領先量產；根據兩家公司釋出的技術藍圖，
台積電預期， 采EUV 制程的7 納米， 邏輯晶圓密度可較第一代7 納米制程增加1.2 倍， 速度則可提高10%， 功耗減少15%；台積電預估， 4 月開始第一代7 納米進入風險性試產， 今年將有12 個設計定案， 預期試產第一年內將有20 個設計定案。
台積電同時也透露， 10 納米制程只有較短的壽命， 主要是為蘋果iPhone 8 所用的A12 晶片設計出的制程， 速度將16 納米會10%， 功耗可減少25%。 而再往前推進， 台積電預估， 5 納米將可在2020 年量產。
三星7納米2018量產：可造高性能GPU
目前， 台積電、三星、Intel等大廠都在積極佈局10nm工藝， 並籌畫未來的7nm、5nm， 一個比一個高調。
在近日上海舉辦的中國國際半導體技術大會(CSTIC)上， 三星電子就展示了自己的半導體工藝路線圖，
三星表示， 隨著半導體工藝走向後10nm時代， 廠商們會面臨越來越嚴峻的挑戰， 尤其是如何保證足夠高的良品率， 為此三星特別提出了環繞柵極場效應電晶體(GAA FET)技術， 將用在7nm、5nm工藝上。
另外， EUV極紫外光刻技術一旦取得突破並成熟， 三星也會立即使用， 但從目前的情況看， 7nm上的希望很低。
三星指出， 他們的7nm工藝將面向高性能晶片製造， 包括GPU、AI、伺服器、ADAS(先進駕駛輔助系統)等等。
值得注意的是， 台積電和三星的10nm工藝都是主打高能效、低功耗的移動晶片應用， 不適合高性能的CPU、GPU， 所以AMD完全跳過了這一代， 直接奔向7nm， NVIDIA據稱下代架構也會依然堅持16nm， 想必也在觀望台積電方面7nm的進展，
AMD目前使用的GlobalFoundries 14nm工藝其實正是三星提供的， 如果未來能繼續供應高性能的7nm， 無疑是個極大的利好消息。
Intel 7nm工藝跳票至2022年
先進的半導體工藝一直是Intel的殺手鐧， 不過這些年， 即便是技術實力雄厚如Intel， 在新工藝之路上也走得步履維艱， 如今再有壞消息傳來。
14nm工藝連續使用三代之後， Intel終將在今年上馬10nm， 而按照新的三步走戰略， 7nm工藝產品應該會在2020年左右誕生。 不過考慮到與三星、台積電命名方式的不一樣， 所以台積電的10nm應該相當於三星7nm水準。
Intel此前的一份招聘啟事裡也曾經提到過7nm工藝產品， 並稱時間安排在2020年或更晚， 而現在這個時間點有了更明確的說法：2022年。
這意味著， 想看到Intel 7nm處理器，
有趣的是， AMD去年中和代工廠GlobalFoundries簽訂了為期五年的晶圓供應合同， 將攜手跳過10nm、直奔7nm工藝， 按時間表計算應該在2020年左右實現。
即便是考慮到GlobalFoundries一貫不是特別靠譜， AMD也有望和Intel在差不多的時間裡進入7nm時代。
當然， 在那之前， AMD將不得不多年使用14nm對抗對手的10nm。
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