三星電子NAND Flash技術再升級， 9日宣佈研發出容量達1Tb(terabit)的3D NAND晶片， 預計明年問世。
Pulse、ZDNet、韓聯社報導， 三星研發1Tb的V-NAND晶片(即垂直堆疊的3D NAND)， 容量是當前最大記憶體512Gb(gigabit)的兩倍。 三星將結合16個1Tb的die， 構成一組3D NAND組， 每組記憶體容量可達2TB(terabyte)。 三星宣稱， 該技術是過去十年來記憶體的最大進展之一。
1Tb相當於126GB， 能夠儲存60部兩小時的高畫質電影。 三星表示， 許多產業發展人工智慧和物聯網， 資料密集的應用程式大增， Flash記憶體扮演關鍵角色， 可以加快資料抽取速度， 以供即時分析。
不只如此， 三星也秀出NGSFF固態硬碟(Next Generation Small Form Factor SSD)， 將取代當前的M.2 SSD規格。 三星表示NGSFF容量為前代的四倍，
三星去年發佈Z-SSD技術， 現在首度發表採用此一技術的SZ985固態硬碟， 宣稱可用於資料中心和企業系統， 處理大資料分析等資料密集作業。 Z-SSD讀取延遲時間為15微秒， 大約是NVME固態硬碟的1/7。
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