圖1、受手機銷售的帶動全球GaAs晶圓繼續增長
Research and Markets發佈的市場研究報告“2017-2021年全球砷化鎵（GaAs）晶圓市場”（https://www.researchandmarkets.com/research/n4g8pl/global_gallium）中對全球GaAs晶圓市場的增長情況進行了預測。
圖2、手機射頻前端中多個關鍵部件都是採用GaAs工藝的器件
報告預測全球GaAs（砷化鎵）晶圓市場在2017-2021年期間將以年複合增長率下降11.9％。
該報告“2017-2021年全球砷化鎵晶圓市場”是根據行業專家的深入市場分析而完成的。 報告涵蓋了未來幾年的市場格局及其發展前景。
市場勢頭最新的發展趨勢是要關閉2G網路。 高速移動互聯網現在已經在世界範圍內變得輕而易舉的普遍獲得。 4G連接的資料速率是3G資料速率的10倍。 這種高速連接可實現更快的網頁流覽速度， 不間斷的視頻流媒體和改善的GPS性能。 因此， 各國正在著力採用3G或4G連接， 並關閉2G網路以騰出頻譜資源。
圖3、當前手機PA大多採用GaAs工藝的HBT器件
據報導， GaAs（砷化鎵）晶圓市場的主要推動力之一是智慧手機越來越多的被採用。 到2021年， 智慧手機出貨量將達到21.6億台， 比2016年的16億台大幅增長。 而負責這一增長的主要驅動因素是智慧手機在中國， 印度， 巴西的急劇增加。 智慧手機出貨量的增長將推動移動手機中使用的GaAs晶圓的需求， 特別是移動功率放大器。
圖4、HBT器件的內部結構
該報告的作者認為以下公司是全球GaAs（砷化鎵）晶圓市場的主要參與者：AWSC， GCS和WIN半導體。
市場上其他突出的供應商還有：AXT， Century Epitech， Freiberger複合材料（FCM）， 智慧外延技術（IntelliEPI）， IQE PLC， OMMIC， 廈門Powerway先進材料， Qorvo， 住友電工， 聯合半導體（UMS）和視覺光子學外延（VPEC）。
圖5、關鍵半導體器件工藝的性能比較
此外， 報告指出， 阻礙GaAs（砷化鎵）晶圓這一市場增長的主要因素之一是GaAs晶圓的高生產成本。 電腦晶片， 太陽能電池和大多數電子設備通常都是基於矽。 人們可以採用像打開和關閉水龍頭控制水流的方式來操縱矽的獨特電子特性。 GaAs是一種與矽相比具有一定技術優勢的半導體材料。 例如， 電子流過其晶體結構比通過矽更快地流動。 然而， 大多數電子器件仍然優選矽的關鍵原因是因為GaAs器件比矽更昂貴。
（完）