在今年舉辦的第十六屆電源技術研討會（Power 2017）中， 來自美國加州的Navitas（納微）半導體公司將預計展示最新的氮化鎵（GaN）功率晶片， 該晶片主要應用于智慧移動、工業以及消費電子領域。
關於Navitas（納微）圖1 Navitas 功率晶片
Navitas半導體公司是世界上第一個也是唯一的 GaNPower IC 公司， 於 2013 年在美國加利福尼亞州El Segundo 成立。 Navitas 擁有強大且不斷增長的功率半導體行業專家團隊， 在材料、器件、應用程式、系統和行銷、以及創新的成功記錄， 其創始人擁有超過200項專利。
專有的 AllGaN™ 工藝設計套件將最高性能的 GaN FET 與邏輯和類比電路單片集成（圖2）。 Navitas GaN 功率IC為移動、消費、企業和新能源市場提供更小、更高能效和更低成本的電源。
圖2 AllGaN技術演示圖
關於AllGaN技術
圖3 Navitas GaN功率晶片性能對比
對比傳統矽材料器件，
Navitas的GaN功率晶片具有在體積大小、重量、成本方面的巨大優勢，
同時將節能水準提升了5倍。
高度集成化設計是降低延遲和寄生電阻的重要方法。
因此，
Navitas可以將傳播延遲控制在5ns之內，
並將傳統轉換器的頻率（65-100kHz）提升到MHz級別。
Navitas公司表示， 公司會針對重要客戶提供更好的服務， 以保證第一時間的市場應用。 目前， 該公司的AllGaN技術主要應用在20w-500w的AC-DC電源設備中。
Power2017 是一次非常好的機會向中國的用戶展示Navitas 獨有的GaN技術，
Stephen Oliver, VP sales& marketing
Navitas
中國的設計者正在尋求一種高品質消費電子級電源轉換方案， 我們很期待Navitas公司獨有的GaN 功率晶片技術。
Daphne Liu, 總經理
21IC 中國電子網
擴展閱讀今年2月， Navitas公司就已經推出了首款集成式半橋 GaN功率晶片。 該晶片能夠實現在開關速度方面有100倍的提升， 同時， 功耗還可以節省40%以上。
今年6月， 該公司發佈了突破性的150W AC-DC演示晶片， 其具有21 W/in3的單位功率以及95%的轉換效率， 而且體積還是傳統商業化產品的一半。
今年8月， 該公司的AllGaN技術成功被美國PowerAmerica協會採用以用來研發下一代手機快充技術。
出自：www.navitassemi.com
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首發於今日頭條號：材料深一度
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