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Nexperia 採用堅固封裝的 AEC

能夠節省空間、提供高性能和耐用性

採用LFPAK56/56E 封裝的超結 MOSFET 可將 RDS(on) 降低 30%,

世界上應用範圍最廣的、符合汽車行業標準的 Power-SO8 MOSFET 現在將應用得更為廣泛

奈梅亨 (荷蘭) -- (美國商業資訊) -- Nexperia(前恩智浦標準產品部門)今天宣佈推出全新 Trench 9 (第 9 代溝槽)功率 MOSFET 系列, 主要應用於汽車行業。 該行業促使公司將其低壓超結技術與先進的封裝能力很好地相結合, 並提高了器件高性能和耐用性。 五年前, 公司推出了世界上應用範圍最廣的、符合汽車行業標準的 Power-SO8 MOSFET。 目前, Nexperia 正在擴大這一產品組合, 包括超低 RDS(on) 的器件, 以滿足眾多典型的汽車應用日益增長的高功率密度需求。

全新第 9 代溝槽器件均符合 AEC-Q101 標準, 並在關鍵可靠性測試(包括溫度迴圈、高溫柵偏壓、高溫反向偏壓和間歇運行壽命)中超過了相應國際汽車標準的兩倍。

LFPAK56E 是 Nexperia 汽車應用 LFPAK 封裝系列產品中的最新創新產品。 LFPAK56E 是受歡迎的 LFPAK56 封裝的增強版本, 具有優化的引線框架和封裝設計, 可使 RDS(on) 和功率密度提高 30%。 功率密度的這一改良使得第 9 代溝槽 LFPAK56 MOSFET 可以用於以前只能使用 D2PAK 和 D2PAK-7 的應用中, 能夠顯著地節省 PCB 空間。

此外, 與競爭技術相比, Nexperia 的超結技術可提供更好的雪崩和 SOA(安全操作區域)功能, 確保關鍵器件即使在故障條件下仍然能夠生存。 傳統上, 大多數供應商不太會推薦用於單次或重複雪崩應用的 TrenchMOS 技術。 然而, 第 9 代溝槽技術則專門設計來應對苛刻的應用和故障條件以提供卓越的單次和重複雪崩性能,

而 Nexperia 的第 9 代溝槽 MOSFET 資料表與公司以前所有的 TrenchMOS 系列產品一樣, 包括單次和重複雪崩評級。

Nexperia 的汽車 MOSFET 產品行銷經理 Norman Stapelberg 評論道:“為了促進自動駕駛, 汽車製造商正在要求許多關鍵應用(如動力轉向和制動)使用雙重冗餘電路。 一級子系統供應商面臨的挑戰是將額外的電源元件添加到其模組中, 而不增加整體 PCB 或模組尺寸。 我們的第 9 代溝槽超結技術與我們的 LFPAK56 和 LFPAK56E 封裝能力的獨特組合使 Nexperia 具有性能和可靠性優勢, 並且減少佔用空間。 這樣, 使客戶能夠添加雙重冗餘所需的附加器件, 而不會顯著增加總 PCB 面積。 ”

應用包括用於動力轉向、傳輸控制、ABS、ESC、泵(水、油和燃料)、風扇轉速控制、電池反接保護和 DC/DC 轉換器的有刷和無刷電機控制。

目前在樣品階段。

Nexperia 簡介

Nexperia 是全球領先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件的專業製造商, 其前身為恩智浦的標準產品部門, 於 2017 年初開始獨立運營。 Nexperia 注重效率, 生產穩定可靠的半導體元件, 年產量高達850 億顆, 其很多產品系列符合汽車產業的嚴格標準。 Nexperia 工廠生產的小型封裝也是業內領先, 不僅具有較高的功率與熱效率, 還是同類品質之最。

五十多年來, Nexperia 一直為全球各地的大型公司提供優質產品, 並在亞洲、歐洲和美國擁有 11,000 名員工。 該公司擁有龐大的智慧財產權組合, 並獲得了 ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001 和 OHSAS18001 認證。

Nexperia:效率取勝。

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