在1969年第五屆歐洲， 擦學國際學術會議上.有人提出在康擦研究中應當按涼擦All的接觸狀態區分為兩類。 一類是普通的41解損的常規章擦.這種康擦介面上的巨集說尺度的腳校將兩表面隔離開， 實際接觸面僅占接觸面很小的比例;另一類是尤磨損的極光滑表面組成的康擦剮， 兩農面彌合而形成分子接觸.稱這類康攘為介面摩擦( Interfacial Friction)。 介面淨擦對於電f if算機硬體、空間裝哭和納米科技的發展越來越重要.這也是納米.擦學研究的主要內容。
Ruan和Bhushan利用康像力顯傲鏡FFM.對純度99.99%的高定向熱解石墨HOPG (Highly Oriented巧rdytic Graphite)的新劈開表面進行滑動雄攘實臉.研究徽觀魔擦機理及其與表面形貌的關係。
實驗採用的Si, N,探針的針尖半徑約為30nm.可以幾何摸擬單個粗褪峰的接觸，
HOPG的表面租糙度算術平均偏趁R。
為0.3nm,實臉是在大氣中進行的.相對限度RH為20%-30%。
為了避免表面污染，
全部實驗工作限制在Ih內完成
實臉表明.當探針滑過HOPG基片表面時.由牽攘力裡徽鏡FFM側得的原子尺度的雄攤力變化與表面形貌的變化相對應.而且具有相問的變化週期， 只是摩娜力變化的蜂Ui的位健相對於表面形貌峰值的位盆有一定的偏移。 進一步的觀察表明， 在撇觀章擦中.摩擦力位I的偏移是由於探嘗t與墊片表面結構所形成的切向力固有的變化有關.而與摩擦中的枯滑過程無關。 事實上， 雄攘力偏移現象與表面形貌密切相關。
它主要受粗糙峰斜率的影響， 而與柑糙峰的高度分佈的關係較小。 表面形貌還使得徽觀尺度的碑擦具有顯著的方向性或稱各向異性特性， 也就是探針沿著不同方向滑動所得到的淨擦力大小是不同的。