下載｜《模擬積體電路的分析與設計（英文版）》

編輯推薦

《模擬積體電路的分析與設計(第4版)》的主要內容包括：積體電路的有源器件模型，

雙極型、MOS、BiCMOS積體電路技術，單晶體管和多晶體管放大器，電流鏡、有源負載及其電壓和電流參考值，輸出的運算放大器，積體電路的頻率回應，回饋，回饋放大器的頻率響應與穩定性，非線性類比電路，積體電路中的雜訊，全差分運算放大器。《模擬積體電路的分析與設計(第4版)》可用作高等學校電子資訊類本科生的教材或參考書。

作者簡介

（美國）格雷（Paul R.Gray） （美國）Paul J.Hurst （美國）Stephen H.Lewis 等 譯者：張曉林

目錄

第一章 積體電路放大器件模型

1.1 引言

1.2 pn結的耗盡區

1.2.1 勢壘電容

1.2.2 結擊穿

1.3 雙極型電晶體的大信號特性

1.3.1 正向放大區的大信號模型

1.3.2 集電極電壓對正向放大區大信號特性的影響

1.3.3 飽和區和反向放大區

1.3.4 電晶體擊穿電壓

1.3.5 工作條件決定電晶體電流增益

1.4 雙極型電晶體的小信號模型

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