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《模擬積體電路的分析與設計(第4版)》的主要內容包括:積體電路的有源器件模型, 雙極型、MOS、BiCMOS積體電路技術, 單晶體管和多晶體管放大器,
作者簡介
(美國)格雷(Paul R.Gray) (美國)Paul J.Hurst (美國)Stephen H.Lewis 等 譯者:張曉林
目錄
第一章 積體電路放大器件模型
1.1 引言
1.2 pn結的耗盡區
1.2.1 勢壘電容
1.2.2 結擊穿
1.3 雙極型電晶體的大信號特性
1.3.1 正向放大區的大信號模型
1.3.2 集電極電壓對正向放大區大信號特性的影響
1.3.3 飽和區和反向放大區
1.3.4 電晶體擊穿電壓
1.3.5 工作條件決定電晶體電流增益
1.4 雙極型電晶體的小信號模型
······
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