比NAND快千倍的MRAM將發佈，未來不分RAM/ROM

隨著存儲行業快速的技術反覆運算，LPDDR4X、UFS2.1等產品紛紛上市，但由於標準型記憶體 DRAM、NAND Flash 等微縮工藝已逼近極限，素以半導體巨頭皆正大舉發展次世代記憶體。

英特爾研發“3D cross point”技術，擬推相變化記憶體（PRAM）。

三星電子不甘示弱，發佈磁阻式隨機存取記憶體（MRAM，magnetoresistant random access memory），號稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。

fudzilla、IBTimes、韓國經濟日報報導，市場估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上，三星將會發佈該公司所研發的 MRAM 記憶體，此種次世代記憶體兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優點，被認為是一種通用型記憶體，能夠讓手機實現記憶體/快閃記憶體二合一。它無須電源也能儲存資料，而且處理速度極快，三星還加入了自旋轉矩技術（STT），

可以加大降低功耗。

MRAM結構圖（Sources:samsung）

三星宣稱，MRAM 是非揮發性記憶體，採用自旋傳輸科技（Spin-torque transfer）讀寫資料，速度比 NAND 快了一千倍。不僅如此，MRAM 更省電，使用時（active）耗電量比傳統記憶體少，停用時（inactive）更無需用電。

目前次世代記憶體包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量產難度較高。現在三星只能少量生產，

但是預期能盡速克服生產障礙。

全球最大半導體代工廠台積電亦曾在 4 月 13 日對外說明，台積電絕對不會踏入標準型記憶體領域，因為台積電目前已具備“量產”MRAM 及電阻式動態隨機存取記憶體 (RRAM) 等新型記憶體的技術。

三星同時宣佈，歐洲大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors）的物聯網半導體將採用 MRAM，雙方簽訂晶圓代工協定，將量產 28 納米的全耗盡型絕緣層上矽（FD-SOI）。

IBTimes 猜測，倘若三星 MRAM 量產進展順利，

或許今年下半問世的 Galaxy Note 8 就會內建 MRAM，以便做出市場差異化。MRAM 用於智慧手機可加快處理速度，並更為省電。

外媒phonearena持有不同意見，他們認為三星目前無法生產出超過幾百萬位元組MRAM，因此MRAM目前只適用于作為處理器的快取記憶體。

不過，我們依然看好MRAM的應用前景。據知名爆料人士@i冰宇宙消息，未來MRAM將具備更大容量，作為快閃記憶體和記憶體二合一的存儲體，上市節點可能在2020年以後。

如果這一願景成真，那麼我們無需區分RAM和ROM，逆天的512G/1TB記憶體不再是夢想。