隨著存儲行業快速的技術反覆運算， LPDDR4X、UFS2.1等產品紛紛上市， 但由於標準型記憶體 DRAM、NAND Flash 等微縮工藝已逼近極限， 素以半導體巨頭皆正大舉發展次世代記憶體。
英特爾研發“3D cross point”技術， 擬推相變化記憶體（PRAM）。 三星電子不甘示弱， 發佈磁阻式隨機存取記憶體（MRAM， magnetoresistant random access memory）， 號稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。
fudzilla、IBTimes、韓國經濟日報報導， 市場估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上， 三星將會發佈該公司所研發的 MRAM 記憶體， 此種次世代記憶體兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優點， 被認為是一種通用型記憶體， 能夠讓手機實現記憶體/快閃記憶體二合一。 它無須電源也能儲存資料，
MRAM結構圖（Sources:samsung）
三星宣稱， MRAM 是非揮發性記憶體， 採用自旋傳輸科技（Spin-torque transfer）讀寫資料， 速度比 NAND 快了一千倍。 不僅如此， MRAM 更省電， 使用時（active）耗電量比傳統記憶體少， 停用時（inactive）更無需用電。
目前次世代記憶體包括 MRAM、PRAM、ReRAM，
全球最大半導體代工廠台積電亦曾在 4 月 13 日對外說明， 台積電絕對不會踏入標準型記憶體領域， 因為台積電目前已具備“量產”MRAM 及電阻式動態隨機存取記憶體 (RRAM) 等新型記憶體的技術。
三星同時宣佈， 歐洲大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors）的物聯網半導體將採用 MRAM， 雙方簽訂晶圓代工協定， 將量產 28 納米的全耗盡型絕緣層上矽（FD-SOI）。
IBTimes 猜測， 倘若三星 MRAM 量產進展順利， 或許今年下半問世的 Galaxy Note 8 就會內建 MRAM， 以便做出市場差異化。 MRAM 用於智慧手機可加快處理速度， 並更為省電。
外媒phonearena持有不同意見， 他們認為三星目前無法生產出超過幾百萬位元組MRAM， 因此MRAM目前只適用于作為處理器的快取記憶體。
不過， 我們依然看好MRAM的應用前景。 據知名爆料人士@i冰宇宙消息， 未來MRAM將具備更大容量， 作為快閃記憶體和記憶體二合一的存儲體， 上市節點可能在2020年以後。
如果這一願景成真， 那麼我們無需區分RAM和ROM， 逆天的512G/1TB記憶體不再是夢想。