台積電12nm是華為海思和聯發科的更好選擇

台積電當下的10nm工藝苦陷良率較低的難題，導致聯發科的helio X30未能如期上市，在這個當口其推出了16nmFinFET的改進版12nmFinFET工藝，這應該是華為海思和聯發科的更好選擇。

台積電目前依然在對10nm工藝進行改進，並用於生產蘋果的A10X處理器，到了三季度該工藝又將用於生產蘋果的A11處理器，在這樣的情況下其10nm工藝的產能緊張狀況將至少延續到今年三季度，而且由於其向來優先照顧蘋果的傳統能分給華為海思和聯發科的產能必然會相當有限。

台積電的12nmFinFET在當前的16nmFinFET工藝上改進而來，擁有更高的電晶體密度和更低的功耗，在當前10nm工藝良率低下的情況下，12nmFinFET工藝可以説明它吸引客戶。

華為海思將在今年10月-11月之間發佈新款的高端晶片，估計命名為麒麟970，如果其選擇台積電的10nm工藝的話由於台積電的10nm工藝產能緊張就有可能重演2015年的麒麟950延遲量產的覆轍，在這樣的情況下選擇台積電的12nm工藝將是不錯的選擇。

去年華為海思就選擇了穩妥的辦法，

採用台積電成熟的16nmFinFET工藝生產其新款高端晶片麒麟960，按計劃推出了這款晶片。聯發科則希望率先採用台積電的10nm工藝，通過採用更先進的工藝獲得更低的功耗和更高的性能以與高通競爭，結果就是當下的尷尬局面，受制於台積電的10nm量產進程和良率問題helio X30遲遲未能上市，聯發科的另一款晶片P35同樣因台積電的10nm工藝量產影響，讓中國手機企業失去了耐心，紛紛放棄採用其晶片。

在helio X30和P35失去了中國手機企業支援的情況下，聯發科推新款晶片就勢在必行，但是在台積電的10nm工藝產能緊張的情況下，採用12nmFinFET工藝可以確保其新款晶片的上市。

另一個是12nmFinFET工藝是在16nmFinFET上改進而來，工藝更成熟，良率高，成本自然更低，聯發科的毛利已創下新低；華為海思的晶片主要是自家使用，規模較小，同樣需要控制成本，在這樣的情況下採用成本較10nm工藝更低的12nm對它們來說也是十分合適的。