在聯發科的壓力下,高通終於要捨棄28nm工藝了
高通的新款中高端晶片驍龍660據說將引入14nm工藝了,預計將是三星的14nmFinFET工藝,這無疑是它在受到聯發科等的競爭下不得不採取的應對策略。
高通以其驍龍8XX系列佔據高端市場,2015年由於自主架構研發跟不上,其採用了ARM的高性能公版核心A57開發高端晶片驍龍810,不過由於A57的功耗較大和台積電的20nm能效不佳導致驍龍810出現發熱問題,2015年底其新開發的驍龍820回歸自主架構kryo。
高通並沒有放棄引入ARM的高性能公版核心,隨後採用ARM的高性能公版核心A72推出驍龍650和驍龍652,
去年高通採用ARM的高性能公版核心A73推出新款中高端晶片驍龍653,雖然性能不錯,不過可惜的是它依然採用相對落後的台積電28nm工藝,而讓人奇怪的是其定位要低一個檔次的驍龍625反而採用更先進的三星14nmFinFET工藝。
驍龍653為四核A73+四核A53架構,而驍龍625為八核A53架構,雖然A73核心在ARM的設計中已很好的平衡了性能和功耗,但是由於其功耗設計還是較A53為高,再加上更優秀的工藝,驍龍625以出色的功耗表現獲得中國手機企業的歡迎,畢竟對於手機企業來說續航顯然是更受它們重視的因素。
相比之下,競爭對手聯發科今年推出的晶片開始普遍引入10nm工藝,
正是在這樣的情況下,高通的新款晶片驍龍660應運而生,據說驍龍660與驍龍653一樣都是四核A73+四核A53架構,不過工藝是三星的14nmFinFET工藝,雖然在工藝方面沒法與helio X30所採用的10nm工藝相比,
當然高通的這種策略也被網友吐糟,有點擠牙膏戰術的意思,在競爭對手的壓力下一點點提升性能,不過這也難怪,其也擔心驍龍660的性能太高的話會影響其高端晶片驍龍835的出貨。