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在聯發科的壓力下,高通終於要捨棄28nm工藝了

高通的新款中高端晶片驍龍660據說將引入14nm工藝了, 預計將是三星的14nmFinFET工藝, 這無疑是它在受到聯發科等的競爭下不得不採取的應對策略。

高通以其驍龍8XX系列佔據高端市場, 2015年由於自主架構研發跟不上, 其採用了ARM的高性能公版核心A57開發高端晶片驍龍810, 不過由於A57的功耗較大和台積電的20nm能效不佳導致驍龍810出現發熱問題, 2015年底其新開發的驍龍820回歸自主架構kryo。

高通並沒有放棄引入ARM的高性能公版核心, 隨後採用ARM的高性能公版核心A72推出驍龍650和驍龍652, 由於成本以及競爭考量這兩款晶片並沒有與驍龍820採用當時最先進的14/16nmFinFET工藝, 而是採用了台積電的28nm工藝, 由於高通的品牌影響力以及其基帶和GPU性能的優勢, 依然獲得了中國手機企業和三星的歡迎。

去年高通採用ARM的高性能公版核心A73推出新款中高端晶片驍龍653, 雖然性能不錯, 不過可惜的是它依然採用相對落後的台積電28nm工藝,

而讓人奇怪的是其定位要低一個檔次的驍龍625反而採用更先進的三星14nmFinFET工藝。

驍龍653為四核A73+四核A53架構, 而驍龍625為八核A53架構, 雖然A73核心在ARM的設計中已很好的平衡了性能和功耗, 但是由於其功耗設計還是較A53為高, 再加上更優秀的工藝, 驍龍625以出色的功耗表現獲得中國手機企業的歡迎, 畢竟對於手機企業來說續航顯然是更受它們重視的因素。

相比之下, 競爭對手聯發科今年推出的晶片開始普遍引入10nm工藝, 希望憑藉工藝的優勢來與高通打差異化競爭, 預計採用該工藝的新款晶片helio X30和P35在今年二季度、三季度大規模上市, 在這樣的情況下高通再用落後的28nm工藝的中高端晶片驍龍653與聯發科競爭並不現實,

引入先進工藝就成為必然。

正是在這樣的情況下, 高通的新款晶片驍龍660應運而生, 據說驍龍660與驍龍653一樣都是四核A73+四核A53架構, 不過工藝是三星的14nmFinFET工藝, 雖然在工藝方面沒法與helio X30所採用的10nm工藝相比, 不過在GPU和基帶方面則與X30相當, 而高端則用驍龍835壓制, 憑藉高通的品牌影響力驍龍660還是有競爭力的。

當然高通的這種策略也被網友吐糟, 有點擠牙膏戰術的意思, 在競爭對手的壓力下一點點提升性能, 不過這也難怪, 其也擔心驍龍660的性能太高的話會影響其高端晶片驍龍835的出貨。

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