中芯國際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、台積電技術高層梁孟松後， 首次於線上法說會中現“聲”說法， 他表示非常看好中芯在產業中的機會與位置， 但也深具挑戰;針對外界最關心的高階制程進度， 共同執行長趙海軍表示， 先進制程14納米FinFET將於2019年量產， 第二代28納米HKMG制程也會於2018年底問世， 外界都睜大眼睛等著檢視成績單。
中芯國際15日的線上法說中， 仍是由趙海軍主持會議， 梁孟松僅簡短發言， 代表加入新團隊後的首次現“聲”， 也滿足外界的好奇心。 同時， 趙海軍也指出， 梁孟松是以共同執行長的身分加入， 因此不會只是負責技術而已，
中芯國際董事長周子學表示， 作為中國最重要的半導體公司之一， 一直在思考如何提升公司競爭力， 這幾年來也持續聚焦、整合資源， 更在今年10月建立了新的領導團隊， 隨著梁孟松的加入， 可加強中芯制定技術的能力， 拉近與對手的技術差距， 相信新團隊會帶領公司到新高度， 梁孟松也可用過去成功、卓越的半導體經驗， 讓中芯國際的未來更美好。
梁孟松則是表示， 很榮幸接下此職務， 中芯在半導體產業中具有很好的位置與機會， 但也深具挑戰， 很高興與趙海軍和團隊合作。
針對外界詢問梁孟松加入中芯國際的最大任務， 眾所皆知是高階制程技術的進度。 中芯表示， 將在2019年量產14納米FinFET制程技術。
在28納米制程上， 中芯也提出三階段的規劃藍圖。 趙海軍指出， 第一階段的polySion制程已經量產， 第二階段是第一代的HKMG制程(中芯稱為HKC制程)已經在今年第2季開始產出， 目標是28納米突破10%營收， 而第三階段是第二代的HKC制程， 預計在2018年底量產。
除了先進制程的佈局， 隨著梁孟松的加入而大踩油門往前沖之外， 中芯也表示， 公司投入快閃記憶體NOR Flash、微控制器(MCU)、感測器CMOS Sensor、高壓(HV)等制程技術平臺， 這些都是用到既有成熟制程的fab filter產品， 且95%的機台是相容于邏輯制程， 可以根據客戶對於需求來規劃，
展望未來， 中芯國際表示， 這兩年是進入了過渡期， 為下一階段的成長把技術和產能備妥， 而短期方面， 看好的成長動力包括28納米制程、快閃記憶體、指紋辨識晶片、電源管理晶片等， 會持續將資源聚焦在關鍵的技術平臺。
針對2017年第4季的營運展望， 中芯國際指出， 預計營收成長1~3%、毛利率18~20%。
在第3季財報上， 營收為7.69億美元， 較上季成長2.5%， 毛利率為23%， 上季25.8%和去年同期30%減少， 每股淨利為0.01美元。 在制程技術上， 28納米制程營收成長38.9%， 0.18微米制程成長33.8%。