三星電子今天宣佈， 已經開始批量生產業內首款512GB嵌入式通用快閃記憶體（eUFS）， 以用於下一代移動設備。 據介紹， 三星512GB eUFS採用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND晶片和一個控制器晶片。
為了最大限度發揮512GB eUFS的性能和能源效率， 三星推出了一套新的獨家技術。 三星512GB eUFS控制器採用64層512Gb V-NAND先進的電路設計和新的電源管理技術， 將能源消耗降到最低。 另外， 512GB eUFS控制器晶片加速了將邏輯塊位址轉換為物理塊位址的映射過程。
三星512GB eUFS讀寫性能也非常強大。 512GB嵌入式記憶體的順序讀寫速度分別達到860MB/s和255MB/s， 能夠在6秒內將5GB的全高清視頻片段傳輸到SSD， 相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。
對於隨機操作， 三星512GB eUFS可以讀取42,000 IOPS並寫入40,000 IOPS。 基於eUFS的快速隨機寫入， 比傳統micro SD卡的100 IOPS速度快大約400倍， 移動用戶可以享受無縫的多媒體體驗， 如高解析度連拍， 以及雙重檔搜索和視頻下載應用程式查看模式。
另外， 三星還計畫穩步增加其64層512Gb V-NAND晶片的產量，
* 如需獲取更多資訊， 請關注微信公眾號或領英公司頁面（全球半導體觀察）