非常線上2017年12月6日消息， 據外媒報導， 三星電子於12月5日宣佈， 已經開始大規模生產該行業的第一個512 GB嵌入式通用快閃記憶體(eUFS)解決方案， 並將用於下一代移動設備。 三星512 GB eUFS採用三星最新的64層512千兆比特(Gb)v – nand晶片， 新的512GB eUFS包為即將到來的旗艦智慧手機和平板電腦提供了無與倫比的存儲容量和出色性能。
三星電子負責記憶體銷售和市場行銷的執行副總裁Jaesoo Han表示:“新一代的三星512GB eUFS為下一代高端智慧手機提供了最好的嵌入式存儲解決方案， 克服了在使用微SD卡時系統性能的潛在限制。 ”“通過確保這一先進嵌入式存儲的早期穩定供應，
三星新推出的512Gb UFS由8個64層512Gb的v – nand晶片和一個控制器晶片組成， 全部疊加在一起， 三星的新512Gb UFS的密度相當於三星之前的48層v – nand256gb的eUFS的密度， 與256GB的包的空間相同。
為了最大限度地提高新512GB eUFS的性能和能效， 三星推出了一套新的專有技術。 512Gb的eUFS控制器的64層512Gb v – nand的先進電路設計和新的電源管理技術使能量消耗的不可避免的增加最小化。 此外， 512GB的eUFS控制器晶片加速了將邏輯塊位址轉換成物理塊的映射過程。
三星512GB的eUFS也有很強的讀寫能力。 在它的連續讀和寫達到每秒860百萬位元組(MB / s)和255MB / s的情況下， 512GB的嵌入式記憶體允許在大約6秒內將一個5GB的完整高清視訊短片傳輸到SSD，
對於隨機操作， 新的eUFS可以讀取42000個IOPS並寫入40iops。 基於eUFS的快速隨機寫入， 移動用戶可以享受到高解析度突發拍攝等無縫多媒體體驗， 以及在雙APP查看模式下的檔搜索和視頻下載等， 速度快于傳統microSD卡100倍的速度。
與此同時， 三星還打算穩步增加其64層512Gb v – nand晶片的生產規模， 並擴大其256Gb的v – nand生產。 這將滿足高級嵌入式移動存儲需求的增長， 以及高密度和性能的高級ssd和可移動記憶體卡的需求