三星週末悄然宣佈， 已經開始量產最新的片上系統產品。 這些將採用第二代10納米FinFET工藝技術， 與第一代產品相比， 具有更高的性能或更長的電池壽命。
雖然三星並未指定哪些產品將受益於這些片上系統規格的增加， 但它確實表示， “採用10LPP工藝技術設計的SoC將用於計畫於明年初發佈的數位設備”。 在地平線上有一個專門用來展示這個晶片的手機。
三星公司已經公開的槍晶片， 許多嫌疑人是註定的GalaxyS9和S9加旗艦。
三星移動通信業務總裁DJ Koh談到了新的三星Galaxy Note8（由Drew Angerer / Getty Images拍攝）
傳統上， 三星的Galaxy S手機具有兩種類型的片上系統 - 三星內部的Exynos SoC和高通的SnapDragon SoC。 由於世界各地4G網路提供的頻率和系統不同， 三星需要覆蓋各種選項， 使Galaxy S手機成為真正的“世界”手機。 這意味著將生產與Exynos和Qualcomm結合在一起。
這不是唯一的區別。 儘管完成了同樣的設計說明， 但是在兩個選項之間卻有細微的差別，
儘管[Exynos] E8895型號和20核心Mali-G71 GPU在大多數工作負載中速度稍快， 但這兩種型號都能提供出色的圖形性能。 另一方面， [Qualcom SnapDragon] S835型號的Adreno 540在我們的GFXBench Manhattan ES 3.1電池測試中提供更好的效率， 延長電池壽命一小時。
頂峰表現對於炫耀權利是有利的， 但玩最苛刻的遊戲真正重要的是持續的表現。 有趣的是， 這兩款S8型號在GPU頻率調節後保持在其熱限制範圍內， 可以提供相同的穩態性能。 儘管SoC都不能長時間保持峰值頻率， 但持續的性能仍然非常出色， 如果您想在三星的Gear VR系統中使用S8， 這一點非常重要。
Galaxy S8和S8 Plus在第一個月銷量突破500萬台。 三星將會尋找與S9類似的爆炸性發佈。 隨著韓國公司有望在2018年1月在CES上推出Galaxy S9，