您的位置:首頁>數碼>正文

Intel 10nm工藝會引入新材料“鈷”,電遷移性能可提升1000倍

Intel的10nm已經一拖再拖了, 他曾經在2012年表示會在2015年推出第一款10nm工藝產品, 然而現在已經2017年年底了, 都沒有見到採用10nm工藝的產品上市,

其實14nm工藝已經拖夠久的了。

然而這慢長的等待最終會帶來好處的, Computerbase表示Intel的10nm工藝中會使用到鈷這種金屬代替部分的銅, 而其他半導體廠目前實用鈷這種材料的程度都沒有Intel這麼高, 這使Intel的10nm工藝有了更多的賣點, 使用鈷新材料後會帶來更多好處, 作為幾乎所有半導體公司的供應商的Applied Materials三年前曾說過鈷這種材料是互聯網15年來最大的變革, 然而要把這種材料投入實用實在太耗時間了, 太過昂貴而且也不是必須的。

不過Globalfoundries其實已經在High-K Metal Gate工藝和銅工藝上使用了鈷這種材料很多年了, 只不過現在的14nm工藝的技術是來源於三星的, 不知道有沒有使用到鈷這種材料, AMD現在的14nm處理器在頻率上明顯低於那些28nm工藝的產品。

Intel希望用10nm工藝表現他依然是半導體行業的領先者, 雖然說他現在在紙面上的納米競賽已經輸了, 然而Intel的14nm工藝明顯是最好的, 甚至要優於10nm LP和12nm LPP, 這也是為什麼Intel夠膽把自家的10nm與別家的7nm相提並論。

Intel的10nm採用鈷代替銅作為下部互聯層可使電遷移性能提高1000倍, 同時層間通孔電阻應該會減少一半,

這必然會大大增加晶片的耐用性, 另外Intel會把鈷用在數個不同的地方, 包括觸點、M0和M1層的金屬, M2到M5層則是主要用銅不過表面用鈷覆蓋。

那麼Intel的10nm到底什麼時候來呢?Intel表示今年內會放出10nm工藝的Cannon Lake, 然而今年就剩下19天了, 其實Intel現在應該可以生產10nm的晶片了, 然而良品率可能比較低, 因為這10nm一下子加太新東西進去了, 第一代10nm工藝的Cannon Lake可能比較短命, 第二代的Ice Lake明年下半年應該就會出來, Cannon Lake可能會成為像今年的Kaby Lake一樣的短命鬼。

Next Article
喜欢就按个赞吧!!!
点击关闭提示