目前普遍接受的關鍵ESD保護電壓水準約為500V。 在這一水準， 晶片成本增加得較合理， 良率水準也不會受到損害。 這是因為典型的晶圓廠和裝配車間有將ESD限制在500V或以下的政策。
目前業內最常見的板級ESD保護器件主要有以下三種， 它們的關鍵屬性如下。 一 聚合物ESD抑制器(PGB)：這是最新的技術， 設計用於產生最小的寄生電容值(<0.2pF)。 這一特性允許它們用於高速數位和射頻電路， 而不會引起任何信號衰減。 二 多層壓敏電阻(MLV)：這類基於氧化鋅的器件可提供ESD保護和低級別的電湧保護。 它們的小形狀因數(尺寸已下降到0402和0201)使得它們非常適合於可擕式應用(如手機和數碼相機等)。 三 矽保護陣列(SPA)：這類分立和多通道器件設計用於保護資料線和I/O線免受ESD和低級別瞬態浪湧的傷害。 它的關鍵特性是非常低的鉗位元電壓， 這允許它們保護最敏感的電路。 目前幾乎所有的晶片組都有片上ESD保護。
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