今年8月份江湖上流傳出一張印有紫光國芯（UniIC）LOGO的記憶體上機照片，
之前有人以為是紫光DDR4產品開始測試，
但是眼尖的網友看出PC3-12800U的字樣，
也就是DDR3-1600，
之後紫光也回應“DDR4記憶體正在研究，
計畫明年推出”。
印有紫光國芯（UniIC）LOGO的記憶體
即使是這塊4G的DDR3記憶體條實際上也不是紫光的技術， 這條記憶體條實際上是早前英飛淩、奇夢達時代的產物， 紫光及紫光國芯目前並沒有生產DDR4記憶體的能力和技術。
在紫光公司的規劃中， 近幾年最重要的任務是大力發展武漢長江存儲科技， 其主要產品是3D NAND快閃記憶體而非DRAM記憶體， 上面發的圖片與事實出入非常大。
NAND快閃記憶體和DRAM記憶體的最大區別是， NAND快閃記憶體斷電資料還保存著， 而DRAM記憶體必須隔一段時間刷新(refresh)一次， 要不然資料就沒有了， 所以NAND快閃記憶體用於SSD硬碟， 而DRAM用於電腦或手機記憶體上。
8G PC記憶體條正面
8G PC記憶體條側面
8G PC記憶體條背面
iphone5手機主機板前部
iphone5手機主機板背部（藍色晶片為32G記憶體顆粒）
紫光長江存儲發展的NAND快閃記憶體， 按照之前網友猜測的， 2017年底量產32層64G 3DNAND快閃記憶體晶片顆粒， 實際上， 長江存儲的3DNAND快閃記憶體技術還不完善， 如上官方發佈的消息是“努力在2018年推出”。
記憶體顆粒
現在長江存儲量產的NAND快閃記憶體很可能還停留在2D NAND層面， 而2D NAND和3D NAND的根本區別是， 2D是一層的小平房， 3D是堆疊在一起的高樓大廈。
2D NAND和3D NAND的根本區別
這相當於平面向三維立體空間的轉變，這一小小的轉變，所需的技術卻不是一點點的改變，而是一個跳躍式的突破。如上面PC記憶體條（當然記憶體和SSD不一樣，這裡只是舉個例子），8G的PC記憶體上裝了16顆512M的記憶體晶片顆粒，如果用堆疊技術，那麼只要一顆晶片顆粒就能達到64G。
2017年上半年三星就宣佈64層堆疊的3D NAND快閃記憶體量產，在技術層面三星領先其他競爭對手二到三年，而紫光現在連32層堆疊技術都還沒有完全掌握，即使按紫光的計畫，2020年前能達到30萬片的產量，也根本無法撼動海士力、美光等廠家的市場，更不要說撼三星了。
三星V-NAND宣傳片
在半導體行業，我國虧欠太多歷史老債，“革命尚未成功，同志還須努力”！希望我們能一步一個腳印，逐步趕上來。
2D NAND和3D NAND的根本區別
這相當於平面向三維立體空間的轉變，這一小小的轉變，所需的技術卻不是一點點的改變，而是一個跳躍式的突破。如上面PC記憶體條（當然記憶體和SSD不一樣，這裡只是舉個例子），8G的PC記憶體上裝了16顆512M的記憶體晶片顆粒，如果用堆疊技術，那麼只要一顆晶片顆粒就能達到64G。
2017年上半年三星就宣佈64層堆疊的3D NAND快閃記憶體量產，在技術層面三星領先其他競爭對手二到三年，而紫光現在連32層堆疊技術都還沒有完全掌握，即使按紫光的計畫，2020年前能達到30萬片的產量，也根本無法撼動海士力、美光等廠家的市場，更不要說撼三星了。
三星V-NAND宣傳片
在半導體行業，我國虧欠太多歷史老債，“革命尚未成功，同志還須努力”！希望我們能一步一個腳印，逐步趕上來。