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面板Array制程簡序及84家相關環節設備企業大全

前段Array制程主要是“薄膜、黃光、蝕刻、剝膜”四大部分。

首先, 需要在TFT玻璃上沉積ITO薄膜層, 這樣整塊TFT玻璃上就有了一層平滑均勻的ITO薄膜。 然後用離子水, 將ITO玻璃洗淨。

接下來, 要在沉積了ITO薄膜的玻璃上塗上光刻膠, 在ITO玻璃上形成一層均勻的光阻層。 然後烘烤一段時間, 將光刻膠的溶劑部分揮發, 增加光阻材料與ITO玻璃的粘合度。

用紫外光(UV)通過預先製作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面, 使被照光刻膠層發生反應, 在塗有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模版在紫外燈下對光刻膠進行選擇性曝光。

以一個圖元單位為例, 如上圖, 這個圖元中, 淺色部分未曝光, 而深色的是曝光部分。

接著, 用顯影劑將曝光部分的光刻膠清洗掉, 這樣就只剩下未曝光的光刻膠部分, 然後用離子水將溶解的光刻膠沖走。

顯影之後需要加熱烘烤, 讓未曝光的光刻膠更加堅固的依附在ITO玻璃上

然後用適當的酸刻液將無光刻膠覆蓋的ITO膜的蝕刻掉, 只保留光刻膠下方的ITO膜。 ITO玻璃為(In2O3 與SnO2)的導電玻璃, 未被光刻膠覆蓋的ITO膜易與酸發生反應,

而被光刻膠覆蓋的ITO膜可以保留下來, 得到相應的拉線電極。

剝膜:用高濃度的堿液(NaOH 溶液)作脫膜液, 將玻璃上餘下的光刻膠剝離掉, 從而使ITO玻璃形成與光刻掩模版完全一致的ITO圖形。

用有機溶液沖洗玻璃基本標籤, 將反應後的光刻膠帶走,

讓玻璃保持潔淨狀態。 這樣就完成了第一道薄膜導電晶體制程, 一般至少需要5道相同的過程, 在玻璃上形成複雜精密的電極圖形。

用相同的方法在玻璃上拉出其他的ITO電極圖形

形成複雜精密的電極圖形,可以更好的控制液圖元點

到這裡,前段Array制程就完成了。從整個過程不難看出,前面在TFT玻璃上沉積ITO薄膜、塗光刻膠、曝光、顯影、蝕刻,最終是為了在TFT玻璃上形成前期設計好的ITO電極圖形,整個生產過程的大致步驟並不複雜,但是所需要的設備卻不少。

84家Array各個環節企業一覽

清洗設備

序號

公司

序號

公司

1

Hitachi

5

KC Tech

2

STI

6

SEMES

3

Kaijo

7

DNS Electronics

4

DMS

8

Shibaura

濺射鍍膜機

序號

公司

序號

公司

1

Tokyo Electron

5

Iruja

2

Canon Anelva

6

AKT

3

Ava co

7

AMAT

4

SFA

檢測設備

序號

公司

序號

公司

1

奧寶科技

5

晶彩科致茂電子

2

精測電子

6

中導光電

3

瑞澱

7

V-Technology

4

HBT

8

華洋

沉積設備

序號

公司

序號

公司

1

ULVAC

9

Mbraun

2

Tokyo EI ectro n

10

Lam Research

3

Wonik IPS

11

Anelva Tecnix

4

Jusung Engineering

12

Doosan

5

SFA Engineering

13

Polyteknik

6

AKT

14

Shimadzu

7

AMAT

15

Colnatec

8

Lesker

16

Aixtron

退火設備

序號

公司

序號

公司

1

Terasemicon

3

Asia Pacific

2

Viatron

4

Screen Holdings

剝離設備

序號

公司

序號

公司

1

Dongjin Semichem

2

ENF Tech

結晶設備

序號

公司

序號

公司

1

Japan Steel Works

3

Dukin

2

AP Systems

4

TeraSemicon

曝光設備

序號

公司

序號

公司

1

Canon

5

KC Tech

2

Nikon

6

ASML

3

DNS

7

新諾

4

Kashiyama

顯影設備

序號

公司

序號

公司

1

Tokyo Electron

7

Evatech

2

DNS Electronics

8

KC Tech

3

Hitachi

9

Sem s

4

STI

10

ENF Tech

5

Shibaura Mechatronics

11

Nepes

6

DMS

幹法蝕刻機

序號

公司

序號

公司

1

ULVAC

6

ICD,Invenia

2

Tokyo Electron

7

TEL

3

DNS Electronics

8

Wonik

4

Wonik IPS

9

IPS

5

LIG ADP

濕法蝕刻機

序號

公司

序號

公司

1

Hitachi

5

DMS

2

STI

6

KC Tech

3

Kaijo,DNS Electronics

7

SEMES

4

Shibaura Mechatronics

8

SFA

形成複雜精密的電極圖形,可以更好的控制液圖元點

到這裡,前段Array制程就完成了。從整個過程不難看出,前面在TFT玻璃上沉積ITO薄膜、塗光刻膠、曝光、顯影、蝕刻,最終是為了在TFT玻璃上形成前期設計好的ITO電極圖形,整個生產過程的大致步驟並不複雜,但是所需要的設備卻不少。

84家Array各個環節企業一覽

清洗設備

序號

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序號

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1

Hitachi

5

KC Tech

2

STI

6

SEMES

3

Kaijo

7

DNS Electronics

4

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8

Shibaura

濺射鍍膜機

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序號

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Tokyo Electron

5

Iruja

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Canon Anelva

6

AKT

3

Ava co

7

AMAT

4

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檢測設備

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奧寶科技

5

晶彩科致茂電子

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精測電子

6

中導光電

3

瑞澱

7

V-Technology

4

HBT

8

華洋

沉積設備

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1

ULVAC

9

Mbraun

2

Tokyo EI ectro n

10

Lam Research

3

Wonik IPS

11

Anelva Tecnix

4

Jusung Engineering

12

Doosan

5

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13

Polyteknik

6

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14

Shimadzu

7

AMAT

15

Colnatec

8

Lesker

16

Aixtron

退火設備

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1

Terasemicon

3

Asia Pacific

2

Viatron

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剝離設備

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1

Dongjin Semichem

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ENF Tech

結晶設備

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Japan Steel Works

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Dukin

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TeraSemicon

曝光設備

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Canon

5

KC Tech

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Nikon

6

ASML

3

DNS

7

新諾

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Kashiyama

顯影設備

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序號

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1

Tokyo Electron

7

Evatech

2

DNS Electronics

8

KC Tech

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Hitachi

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Sem s

4

STI

10

ENF Tech

5

Shibaura Mechatronics

11

Nepes

6

DMS

幹法蝕刻機

序號

公司

序號

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1

ULVAC

6

ICD,Invenia

2

Tokyo Electron

7

TEL

3

DNS Electronics

8

Wonik

4

Wonik IPS

9

IPS

5

LIG ADP

濕法蝕刻機

序號

公司

序號

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1

Hitachi

5

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2

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KC Tech

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7

SEMES

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Shibaura Mechatronics

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