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原廠先進制程不順,第二季標準型記憶體合約價格續漲12.5%

集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示, 由於原廠先進制程品質問題頻傳, 第二季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩, 價格漲幅超乎預期。

就目前的成交價格看來, 第二季4GB DDR4模組合約均價來到27美元, 相較第一季的24美元, 上漲幅度約12.5%。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示, 進入第二季, 全球記憶體市場仍呈現供貨吃緊的狀態, 各PC OEM大廠正陸續與主要DRAM原廠議定新季度的合約價格。

原先市場期待供給即將增加, 但由於三星、美光等先進大廠在18或17納米上都出現品質異常的狀況, 使得供貨吃緊的態勢仍未得到紓解,

第二季整體DRAM確定維持上漲走勢。

三星、美光制程轉進遇瓶頸, 供貨吃緊短期難解

從第一季中開始, 三星18納米的標準型記憶體產品陸續進入量產階段, 但由於先進制程的設計難度高, 在生產的過程中容易與部分筆電的平臺出現相容性相關的問題, 導致產線的不良率過高, 影響出貨。

目前三星半導體正積極解決該異常狀況, 但出貨不順的現況使供貨吃緊的態勢未能舒緩。

同時, 美光的17納米產品也在第一季中陸續送交樣品給客戶做測試, 目前測試過程並不順利, 原先設定在第二季度可能量產的目標恐將推遲。

SK海力士則因為目前沒有進行制程轉換, 成為三大廠當中唯一沒有遭遇供貨不順問題的廠商。

吳雅婷指出,

三星和美光遇到的狀況說明制程轉進至20納米以下時, 在設計、生產的難度都大幅提升, 此外, 也說明制程微縮能享有的位元成長越來越少, 使得供貨端吃緊的態勢若要得到舒緩, 還需花費更多時間。

吳雅婷進一步指出, 整體而言, 第二季記憶體價格持續向上的趨勢仍未改變。 除標準型記憶體外, 伺服器記憶體的漲幅也相當明顯, 預估將達10%~15%。

而行動式記憶體則為目前漲幅最小者, 在中國智慧手機的出貨動能尚未大幅轉強以前, 預估第二季行動式記憶體漲幅僅約5%以下, 其中eMCP產品因NAND同時缺貨的緣故, 漲幅較高, 約達5%。

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