三星半導體業務這幾年的進步有目共睹， 新工藝進展神速而且表現優秀， Exynos系列處理器也是大殺四方。
三星電子今天宣佈， 10nm FinFET工藝自從2016年10月底率先投產以來， 按照預期取得了穩定的高良品率， 滿足了客戶需求——這顯然是在駁斥業內有關10nm良率不佳的傳聞。
三星透露， 迄今為止， 已經出貨了超過7萬塊採用第一代10nm LPE(Low Power Earlr)工藝製造的晶圓。
三星自家的Exynos 8895， 以及高通的驍龍835， 都採用這種工藝製造。
另外， 三星還宣佈增加8nm、6nm工藝， 它們分別是10nm、7nm的改進版， 官方宣稱“可比現有工藝提供更好的靈活性、性能、功耗優勢”， 滿足不同客戶需求，
三星將在5月24日舉辦美國三星代工論壇， 披露8nm、6nm的更多技術細節。
台積電16/12/10/7/5nm， 三星16/10/8/7/6nm……Intel你作何感想？
